ⅢA族氮化物半导体晶体的制造方法和ⅢA族氮化物半导体衬底的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010508646.2

申请日：

2010-10-13

公开(公告)号：

CN102127815A

公开(公告)日：

2011-07-20

发明(设计)人：

大岛佑一

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C30B2940

IPC分类号：

C30B2520

代理机构：

北京银龙知识产权代理有限公司 11243

代理人：

钟晶

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-04-02	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101699732457 IPC(主分类):C30B 29/40 专利申请号:2010105086462 变更事项:申请人变更前权利人:日立电线株式会社变更后权利人:日立金属株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本东京都登记生效日:20140313
2012-11-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101354517519 IPC(主分类):C30B 29/40 专利申请号:2010105086462 申请日:20101013
2015-09-16	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101721038444 IPC(主分类):C30B 29/40 专利申请号:2010105086462 申请公布日:20110720

共 50 条

[1]

ⅢA族氮化物半导体衬底的制造方法和ⅢA族氮化物半导体衬底 [P].

大岛佑一 .

中国专利 :CN101752240A ,2010-06-23

[2]

Ⅲ-Ⅴ族氮化物系半导体衬底及其制造方法和Ⅲ-Ⅴ族氮化物系半导体 [P].

柴田真佐知 .

中国专利 :CN1734247B ,2006-02-15

[3]

Ⅲ族氮化物半导体晶体和其制造方法以及Ⅲ族氮化物半导体器件 [P].

佐佐木孝友 ;

森勇介 ;

吉村政志 ;

川村史朗 ;

中畑成二 ;

弘田龙 .

中国专利 :CN1957117A ,2007-05-02

[4]

Ⅲ族氮化物晶体的制造方法、Ⅲ族氮化物晶体衬底及Ⅲ族氮化物半导体器件 [P].

弘田龙 ;

上松康二 ;

川濑智博 .

中国专利 :CN101421443B ,2009-04-29

[5]

Ⅲ-V族氮化物系半导体衬底及其制造方法和Ⅲ-V族氮化物系半导体 [P].

柴田真佐知 .

中国专利 :CN102174713B ,2011-09-07

[6]

氮化物半导体衬底和氮化物半导体衬底的制造方法 [P].

入仓正登 ;

饼田恭志 ;

中山雅博 .

中国专利 :CN100361323C ,2005-04-06

[7]

制造氮化物半导体晶体的装置、制造氮化物半导体晶体的方法和氮化物半导体晶体 [P].

佐藤一成 ;

宫永伦正 ;

山本喜之 ;

中幡英章 .

中国专利 :CN102131964A ,2011-07-20

[8]

Ⅲ族氮化物半导体衬底 [P].

大岛佑一 .

中国专利 :CN101250752A ,2008-08-27

[9]

Ⅲ族氮化物晶体衬底及其制造方法，和Ⅲ族氮化物半导体器件 [P].

佐佐木孝友 ;

森勇介 ;

吉村政志 ;

川村史朗 ;

弘田龙 ;

中畑成二 .

中国专利 :CN1942611B ,2007-04-04

[10]

ⅢA族氮化物半导体复合基板、ⅢA族氮化物半导体基板和ⅢA族氮化物半导体复合基板的制造方法 [P].

吉田丈洋 .

中国专利 :CN101853816A ,2010-10-06

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