Ⅲ族氮化物晶体衬底及其制造方法，和Ⅲ族氮化物半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200580011074.4

申请日：

2005-03-30

公开(公告)号：

CN1942611B

公开(公告)日：

2007-04-04

发明(设计)人：

佐佐木孝友森勇介吉村政志川村史朗弘田龙中畑成二

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

C30B2938

IPC分类号：

C30B910 C30B1106 H01L21208

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

王海川;樊卫民

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-05-26	授权	授权
2007-05-30	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-04-04	公开	公开

共 50 条

[1]

Ⅲ族氮化物半导体晶体和其制造方法以及Ⅲ族氮化物半导体器件 [P].

佐佐木孝友 ;

森勇介 ;

吉村政志 ;

川村史朗 ;

中畑成二 ;

弘田龙 .

中国专利 :CN1957117A ,2007-05-02

[2]

Ⅲ族氮化物晶体的制造方法、Ⅲ族氮化物晶体衬底及Ⅲ族氮化物半导体器件 [P].

弘田龙 ;

上松康二 ;

川濑智博 .

中国专利 :CN101421443B ,2009-04-29

[3]

第Ⅲ族氮化物晶体衬底、其制造方法及第Ⅲ族氮化物半导体器件 [P].

弘田龙 ;

中畑成二 ;

上野昌纪 .

中国专利 :CN100454488C ,2005-09-21

[4]

Ⅲ族氮化物半导体晶体及其制造方法、Ⅲ族氮化物半导体器件及其制造方法以及发光器件 [P].

中畑成二 ;

中幡英章 ;

上松康二 ;

木山诚 ;

永井阳一 ;

中村孝夫 .

中国专利 :CN1957447B ,2007-05-02

[5]

Ⅲ族氮化物晶体衬底、包含外延层的Ⅲ族氮化物晶体衬底、半导体器件及其制造方法 [P].

石桥惠二 ;

善积祐介 ;

美浓部周吾 .

中国专利 :CN102666945A ,2012-09-12

[6]

ⅢA族氮化物半导体衬底的制造方法和ⅢA族氮化物半导体衬底 [P].

大岛佑一 .

中国专利 :CN101752240A ,2010-06-23

[7]

III族氮化物晶体、其制造方法以及III族氮化物晶体衬底及半导体器件 [P].

佐佐木孝友 ;

森勇介 ;

吉村政志 ;

川村史朗 ;

中畑成二 ;

弘田龙 .

中国专利 :CN1965112B ,2007-05-16

[8]

制造Ⅲ族氮化物结晶、Ⅲ族氮化物结晶衬底以及半导体器件的方法 [P].

藤原伸介 .

中国专利 :CN101591810A ,2009-12-02

[9]

III族氮化物复合衬底及其制造方法、层叠的III族氮化物复合衬底、III族氮化物半导体器件及其制造方法 [P].

木山诚 ;

石桥惠二 ;

八乡昭广 ;

松本直树 ;

中西文毅 .

中国专利 :CN104781907B ,2015-07-15

[10]

III族氮化物晶体衬底、包含外延层的III族氮化物晶体衬底、半导体器件及其制造方法 [P].

石桥惠二 ;

善积祐介 .

中国专利 :CN102484181A ,2012-05-30

← 1 2 3 4 5 →