III族氮化物晶体、其制造方法以及III族氮化物晶体衬底及半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200580018887.6

申请日：

2005-04-15

公开(公告)号：

CN1965112B

公开(公告)日：

2007-05-16

发明(设计)人：

佐佐木孝友森勇介吉村政志川村史朗中畑成二弘田龙

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

C30B2938

IPC分类号：

C30B910 C30B1106 H01L3300

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

陈海涛;王海川

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-05-16	公开	公开
2007-07-11	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-02-09	授权	授权

共 50 条

[1]

III族氮化物半导体晶体、III族氮化物半导体器件以及发光器件 [P].

中畑成二 ;

中幡英章 ;

上松康二 ;

木山诚 ;

永井阳一 ;

中村孝夫 .

中国专利 :CN101882571A ,2010-11-10

[2]

Ⅲ族氮化物晶体的制造方法、Ⅲ族氮化物晶体衬底及Ⅲ族氮化物半导体器件 [P].

弘田龙 ;

上松康二 ;

川濑智博 .

中国专利 :CN101421443B ,2009-04-29

[3]

III族氮化物晶体、III族氮化物基板及III族氮化物晶体的制造方法 [P].

森勇介 ;

吉村政志 ;

今西正幸 ;

北本启 ;

隅智亮 ;

泷野淳一 ;

冈山芳央 .

中国专利 :CN113802185A ,2021-12-17

[4]

III族氮化物晶体、III族氮化物基板及III族氮化物晶体的制造方法 [P].

森勇介 ;

吉村政志 ;

今西正幸 ;

北本启 ;

隅智亮 ;

泷野淳一 ;

冈山芳央 .

中国专利 :CN113808926A ,2021-12-17

[5]

III族氮化物晶体衬底、包含外延层的III族氮化物晶体衬底、半导体器件及其制造方法 [P].

石桥惠二 ;

善积祐介 .

中国专利 :CN102484181A ,2012-05-30

[6]

第Ⅲ族氮化物晶体衬底、其制造方法及第Ⅲ族氮化物半导体器件 [P].

弘田龙 ;

中畑成二 ;

上野昌纪 .

中国专利 :CN100454488C ,2005-09-21

[7]

III族氮化物晶体 [P].

上松康二 ;

长田英树 ;

中畑成二 ;

藤原伸介 .

中国专利 :CN104250853B ,2014-12-31

[8]

Ⅲ族氮化物半导体晶体和其制造方法以及Ⅲ族氮化物半导体器件 [P].

佐佐木孝友 ;

森勇介 ;

吉村政志 ;

川村史朗 ;

中畑成二 ;

弘田龙 .

中国专利 :CN1957117A ,2007-05-02

[9]

III族氮化物复合衬底及其制造方法，层叠的III族氮化物复合衬底，以及III族氮化物半导体器件及其制造方法 [P].

石桥惠二 ;

柳泽拓弥 ;

上松康二 ;

关裕纪 ;

山本喜之 .

中国专利 :CN104995713A ,2015-10-21

[10]

Ⅲ族氮化物晶体衬底及其制造方法，和Ⅲ族氮化物半导体器件 [P].

佐佐木孝友 ;

森勇介 ;

吉村政志 ;

川村史朗 ;

弘田龙 ;

中畑成二 .

中国专利 :CN1942611B ,2007-04-04

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