III族氮化物晶体

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410411963.0

申请日：

2010-06-03

公开(公告)号：

CN104250853B

公开(公告)日：

2014-12-31

发明(设计)人：

上松康二长田英树中畑成二藤原伸介

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市

IPC主分类号：

C30B2938

IPC分类号：

C23C1634 C30B2520 H01L3332

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

陈海涛;穆德骏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-01-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101596396745 IPC(主分类):C30B 29/38 专利申请号:2014104119630 申请日:20100603
2020-05-12	授权	授权
2014-12-31	公开	公开

共 50 条

[1]

III族氮化物晶体、III族氮化物基板及III族氮化物晶体的制造方法 [P].

森勇介 ;

吉村政志 ;

今西正幸 ;

北本启 ;

隅智亮 ;

泷野淳一 ;

冈山芳央 .

中国专利 :CN113802185A ,2021-12-17

[2]

III族氮化物晶体、III族氮化物基板及III族氮化物晶体的制造方法 [P].

森勇介 ;

吉村政志 ;

今西正幸 ;

北本启 ;

隅智亮 ;

泷野淳一 ;

冈山芳央 .

中国专利 :CN113808926A ,2021-12-17

[3]

III族氮化物晶体的制造方法以及由此得到的III族氮化物晶体与应用该晶体的III族氮化物晶体基板 [P].

北冈康夫 ;

峯本尚 ;

木户口勳 ;

佐佐木孝友 ;

森勇介 ;

川村史朗 .

中国专利 :CN1898778A ,2007-01-17

[4]

处理III族氮化物晶体表面的方法和III族氮化物晶体衬底 [P].

西浦隆幸 ;

石桥惠二 .

中国专利 :CN101066583B ,2007-11-07

[5]

III族氮化物晶体及其制造方法 [P].

上松康二 ;

长田英树 ;

中畑成二 ;

藤原伸介 .

中国专利 :CN102137961B ,2011-07-27

[6]

III族氮化物晶体的制造方法 [P].

森勇介 ;

吉村政志 ;

今西正幸 ;

北本启 ;

泷野淳一 ;

隅智亮 ;

冈山芳央 .

中国专利 :CN113882020A ,2022-01-04

[7]

体III族氮化物晶体的生长 [P].

S·皮姆普特卡 ;

J·S·斯派克 .

中国专利 :CN103703558A ,2014-04-02

[8]

III族氮化物晶体管布局 [P].

S·彭德哈卡尔 ;

N·特珀尔内尼 ;

J·约翰 .

中国专利 :CN105229792A ,2016-01-06

[9]

III族氮化物晶体管器件 [P].

B·潘迪亚 ;

A·桑德斯 ;

梁健 ;

T·比尔 ;

C·奥斯特迈尔 .

:CN118053900A ,2024-05-17

[10]

III族氮化物晶体、其制造方法以及III族氮化物晶体衬底及半导体器件 [P].

佐佐木孝友 ;

森勇介 ;

吉村政志 ;

川村史朗 ;

中畑成二 ;

弘田龙 .

中国专利 :CN1965112B ,2007-05-16

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