处理III族氮化物晶体表面的方法和III族氮化物晶体衬底

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710100996.3

申请日：

2007-05-08

公开(公告)号：

CN101066583B

公开(公告)日：

2007-11-07

发明(设计)人：

西浦隆幸石桥惠二

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市中央区北浜四丁目5番33号

IPC主分类号：

B24B2900

IPC分类号：

H01L21304 C09G102 C09G104

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

孙志湧;陆锦华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-11-07	公开	公开
2016-06-22	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101667735160 IPC(主分类):B24B 29/00 专利号:ZL2007101009963 申请日:20070508 授权公告日:20110119 终止日期:20150508
2011-01-19	授权	授权
2009-04-29	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

III族氮化物晶体、III族氮化物基板及III族氮化物晶体的制造方法 [P].

森勇介 ;

吉村政志 ;

今西正幸 ;

北本启 ;

隅智亮 ;

泷野淳一 ;

冈山芳央 .

中国专利 :CN113802185A ,2021-12-17

[2]

III族氮化物晶体、III族氮化物基板及III族氮化物晶体的制造方法 [P].

森勇介 ;

吉村政志 ;

今西正幸 ;

北本启 ;

隅智亮 ;

泷野淳一 ;

冈山芳央 .

中国专利 :CN113808926A ,2021-12-17

[3]

III族氮化物晶体 [P].

上松康二 ;

长田英树 ;

中畑成二 ;

藤原伸介 .

中国专利 :CN104250853B ,2014-12-31

[4]

III族氮化物衬底 [P].

王明月 ;

王建峰 ;

徐科 .

中国专利 :CN204905260U ,2015-12-23

[5]

III族氮化物晶体、其制造方法以及III族氮化物晶体衬底及半导体器件 [P].

佐佐木孝友 ;

森勇介 ;

吉村政志 ;

川村史朗 ;

中畑成二 ;

弘田龙 .

中国专利 :CN1965112B ,2007-05-16

[6]

III族氮化物晶体的制造方法以及由此得到的III族氮化物晶体与应用该晶体的III族氮化物晶体基板 [P].

北冈康夫 ;

峯本尚 ;

木户口勳 ;

佐佐木孝友 ;

森勇介 ;

川村史朗 .

中国专利 :CN1898778A ,2007-01-17

[7]

第III族氮化物衬底的制造方法及第 III 族氮化物衬底 [P].

北村寿朗 ;

柴田真佐知 ;

吉田丈洋 .

中国专利 :CN107978509A ,2018-05-01

[8]

III族氮化物复合衬底 [P].

佐藤一成 ;

吉田浩章 ;

山本喜之 ;

八乡昭广 ;

松原秀树 .

中国专利 :CN102906857A ,2013-01-30

[9]

Ⅲ族氮化物晶体的制造方法、Ⅲ族氮化物晶体衬底及Ⅲ族氮化物半导体器件 [P].

弘田龙 ;

上松康二 ;

川濑智博 .

中国专利 :CN101421443B ,2009-04-29

[10]

III族氮化物晶体衬底、包含外延层的III族氮化物晶体衬底、半导体器件及其制造方法 [P].

石桥惠二 ;

善积祐介 .

中国专利 :CN102484181A ,2012-05-30

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