第III族氮化物衬底的制造方法及第 III 族氮化物衬底

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710980349.X

申请日：

2017-10-19

公开(公告)号：

CN107978509A

公开(公告)日：

2018-05-01

发明(设计)人：

北村寿朗柴田真佐知吉田丈洋

申请人：

申请人地址：

日本茨城县

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L2910 H01L3300 H01L3332 C30B2940 C30B2520

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

杨宏军

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-13	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 21/02 登记生效日:20221201 变更事项:申请人变更前权利人:赛奥科思有限公司变更后权利人:住友化学株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本茨城县变更后权利人:日本东京都变更事项:申请人变更前权利人:住友化学株式会社
2018-05-01	公开	公开
2019-08-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20171019

共 50 条

[1]

III族氮化物衬底 [P].

王明月 ;

王建峰 ;

徐科 .

中国专利 :CN204905260U ,2015-12-23

[2]

III族氮化物复合衬底 [P].

佐藤一成 ;

吉田浩章 ;

山本喜之 ;

八乡昭广 ;

松原秀树 .

中国专利 :CN102906857A ,2013-01-30

[3]

III族氮化物复合衬底及其制造方法、层叠的III族氮化物复合衬底、III族氮化物半导体器件及其制造方法 [P].

木山诚 ;

石桥惠二 ;

八乡昭广 ;

松本直树 ;

中西文毅 .

中国专利 :CN104781907B ,2015-07-15

[4]

III族氮化物复合衬底及其制造方法，层叠的III族氮化物复合衬底，以及III族氮化物半导体器件及其制造方法 [P].

石桥惠二 ;

柳泽拓弥 ;

上松康二 ;

关裕纪 ;

山本喜之 .

中国专利 :CN104995713A ,2015-10-21

[5]

III族氮化物晶体、III族氮化物基板及III族氮化物晶体的制造方法 [P].

森勇介 ;

吉村政志 ;

今西正幸 ;

北本启 ;

隅智亮 ;

泷野淳一 ;

冈山芳央 .

中国专利 :CN113802185A ,2021-12-17

[6]

III族氮化物晶体、III族氮化物基板及III族氮化物晶体的制造方法 [P].

森勇介 ;

吉村政志 ;

今西正幸 ;

北本启 ;

隅智亮 ;

泷野淳一 ;

冈山芳央 .

中国专利 :CN113808926A ,2021-12-17

[7]

第Ⅲ族氮化物晶体衬底、其制造方法及第Ⅲ族氮化物半导体器件 [P].

弘田龙 ;

中畑成二 ;

上野昌纪 .

中国专利 :CN100454488C ,2005-09-21

[8]

III族氮化物衬底和其制造方法 [P].

桥本忠朗 .

中国专利 :CN107002275B ,2017-08-01

[9]

III族氮化物衬底及其制备方法 [P].

王明月 ;

王建峰 ;

徐科 ;

陈吉湖 .

中国专利 :CN106711023A ,2017-05-24

[10]

III族氮化物衬底及其制备方法 [P].

王建峰 ;

徐科 ;

张育民 ;

王明月 ;

任国强 ;

徐俞 .

中国专利 :CN106783579A ,2017-05-31

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