III族氮化物复合衬底及其制造方法，层叠的III族氮化物复合衬底，以及III族氮化物半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201380073228.7

申请日：

2013-11-12

公开(公告)号：

CN104995713A

公开(公告)日：

2015-10-21

发明(设计)人：

石桥惠二柳泽拓弥上松康二关裕纪山本喜之

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L3332

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

韩峰;孙志湧

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-10-21	公开	公开
2016-10-12	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101739791101 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2013800732287 申请公布日:20151021

共 50 条

[1]

III族氮化物复合衬底及其制造方法、层叠的III族氮化物复合衬底、III族氮化物半导体器件及其制造方法 [P].

木山诚 ;

石桥惠二 ;

八乡昭广 ;

松本直树 ;

中西文毅 .

中国专利 :CN104781907B ,2015-07-15

[2]

III族氮化物复合衬底及其制造方法以及制造III族氮化物半导体器件的方法 [P].

石桥惠二 ;

八乡昭广 ;

广村友纪 ;

松本直树 ;

中畑成二 ;

中西文毅 ;

柳泽拓弥 ;

上松康二 ;

关裕纪 ;

山本喜之 ;

善积祐介 ;

三上英则 .

中国专利 :CN104641453B ,2015-05-20

[3]

第III族氮化物衬底的制造方法及第 III 族氮化物衬底 [P].

北村寿朗 ;

柴田真佐知 ;

吉田丈洋 .

中国专利 :CN107978509A ,2018-05-01

[4]

III族氮化物复合衬底 [P].

佐藤一成 ;

吉田浩章 ;

山本喜之 ;

八乡昭广 ;

松原秀树 .

中国专利 :CN102906857A ,2013-01-30

[5]

III族氮化物衬底 [P].

王明月 ;

王建峰 ;

徐科 .

中国专利 :CN204905260U ,2015-12-23

[6]

III族氮化物晶体、其制造方法以及III族氮化物晶体衬底及半导体器件 [P].

佐佐木孝友 ;

森勇介 ;

吉村政志 ;

川村史朗 ;

中畑成二 ;

弘田龙 .

中国专利 :CN1965112B ,2007-05-16

[7]

复合GaN衬底、制造复合GaN衬底的方法、III族氮化物半导体器件和制造III族氮化物半导体器件的方法 [P].

木山诚 ;

松原秀树 ;

冈久拓司 .

中国专利 :CN103180935A ,2013-06-26

[8]

III族氮化物晶体衬底、包含外延层的III族氮化物晶体衬底、半导体器件及其制造方法 [P].

石桥惠二 ;

善积祐介 .

中国专利 :CN102484181A ,2012-05-30

[9]

III族氮化物晶体、III族氮化物基板及III族氮化物晶体的制造方法 [P].

森勇介 ;

吉村政志 ;

今西正幸 ;

北本启 ;

隅智亮 ;

泷野淳一 ;

冈山芳央 .

中国专利 :CN113802185A ,2021-12-17

[10]

III族氮化物晶体、III族氮化物基板及III族氮化物晶体的制造方法 [P].

森勇介 ;

吉村政志 ;

今西正幸 ;

北本启 ;

隅智亮 ;

泷野淳一 ;

冈山芳央 .

中国专利 :CN113808926A ,2021-12-17

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