III族氮化物复合衬底及其制造方法以及制造III族氮化物半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201380046378.9

申请日：

2013-09-04

公开(公告)号：

CN104641453B

公开(公告)日：

2015-05-20

发明(设计)人：

石桥惠二八乡昭广广村友纪松本直树中畑成二中西文毅柳泽拓弥上松康二关裕纪山本喜之善积祐介三上英则

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

李兰;孙志湧

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-06-17	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101613564892 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2013800463789 申请日:20130904
2018-03-30	授权	授权
2015-05-20	公开	公开

共 50 条

[1]

III族氮化物复合衬底及其制造方法，层叠的III族氮化物复合衬底，以及III族氮化物半导体器件及其制造方法 [P].

石桥惠二 ;

柳泽拓弥 ;

上松康二 ;

关裕纪 ;

山本喜之 .

中国专利 :CN104995713A ,2015-10-21

[2]

III族氮化物复合衬底及其制造方法、层叠的III族氮化物复合衬底、III族氮化物半导体器件及其制造方法 [P].

木山诚 ;

石桥惠二 ;

八乡昭广 ;

松本直树 ;

中西文毅 .

中国专利 :CN104781907B ,2015-07-15

[3]

III族氮化物晶体、其制造方法以及III族氮化物晶体衬底及半导体器件 [P].

佐佐木孝友 ;

森勇介 ;

吉村政志 ;

川村史朗 ;

中畑成二 ;

弘田龙 .

中国专利 :CN1965112B ,2007-05-16

[4]

复合GaN衬底、制造复合GaN衬底的方法、III族氮化物半导体器件和制造III族氮化物半导体器件的方法 [P].

木山诚 ;

松原秀树 ;

冈久拓司 .

中国专利 :CN103180935A ,2013-06-26

[5]

III族氮化物半导体器件及其制造方法 [P].

北野司 ;

难波江宏一 ;

小池正好 ;

寺前文晴 ;

近藤俊行 ;

铃木敦志 ;

前田智彦 ;

森绿 .

中国专利 :CN102959739A ,2013-03-06

[6]

第III族氮化物衬底的制造方法及第 III 族氮化物衬底 [P].

北村寿朗 ;

柴田真佐知 ;

吉田丈洋 .

中国专利 :CN107978509A ,2018-05-01

[7]

III族氮化物半导体晶体、III族氮化物半导体器件以及发光器件 [P].

中畑成二 ;

中幡英章 ;

上松康二 ;

木山诚 ;

永井阳一 ;

中村孝夫 .

中国专利 :CN101882571A ,2010-11-10

[8]

III族氮化物晶体衬底、包含外延层的III族氮化物晶体衬底、半导体器件及其制造方法 [P].

石桥惠二 ;

善积祐介 .

中国专利 :CN102484181A ,2012-05-30

[9]

III族氮化物半导体元件、III族氮化物半导体元件的制造方法 [P].

嵯峨宣弘 ;

德山慎司 ;

住吉和英 ;

京野孝史 ;

片山浩二 ;

滨口达史 ;

梁岛克典 .

中国专利 :CN104576869A ,2015-04-29

[10]

制造p型III族氮化物半导体的方法以及III族氮化物半导体发光器件 [P].

小早川真人 .

中国专利 :CN100472716C ,2006-12-06

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