III族氮化物半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180031709.2

申请日：

2011-11-25

公开(公告)号：

CN102959739A

公开(公告)日：

2013-03-06

发明(设计)人：

北野司难波江宏一小池正好寺前文晴近藤俊行铃木敦志前田智彦森绿

申请人：

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L21205 C23C1634 H01S5343

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

张劲松

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-11-12	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20111125 授权公告日:20160518 终止日期:20181125
2013-03-06	公开	公开
2016-05-18	授权	授权
2013-11-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101535321910 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2011800317092 申请日:20111125

共 50 条

[1]

III族氮化物半导体器件 [P].

千代敏明 ;

伊藤润 ;

柴田直树 .

中国专利 :CN1486513A ,2004-03-31

[2]

第III族氮化物半导体器件及其制造方法 [P].

门胁嘉孝 ;

丰田达宪 .

中国专利 :CN104040736A ,2014-09-10

[3]

第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

奥野浩司 .

中国专利 :CN103515505A ,2014-01-15

[4]

第III族氮化物半导体器件及其制造方法 [P].

曹明焕 ;

李锡雨 ;

张弼国 ;

梁会永 ;

金真熙 ;

卢虎均 ;

文细荣 ;

鸟羽隆一 ;

门胁嘉孝 .

中国专利 :CN104603960A ,2015-05-06

[5]

III族氮化物半导体晶体、III族氮化物半导体器件以及发光器件 [P].

中畑成二 ;

中幡英章 ;

上松康二 ;

木山诚 ;

永井阳一 ;

中村孝夫 .

中国专利 :CN101882571A ,2010-11-10

[6]

III族氮化物半导体元件、III族氮化物半导体元件的制造方法 [P].

嵯峨宣弘 ;

德山慎司 ;

住吉和英 ;

京野孝史 ;

片山浩二 ;

滨口达史 ;

梁岛克典 .

中国专利 :CN104576869A ,2015-04-29

[7]

Ⅲ族氮化物半导体晶体及其制造方法、Ⅲ族氮化物半导体器件及其制造方法以及发光器件 [P].

中畑成二 ;

中幡英章 ;

上松康二 ;

木山诚 ;

永井阳一 ;

中村孝夫 .

中国专利 :CN1957447B ,2007-05-02

[8]

第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

奥野浩司 ;

宫崎敦嗣 .

中国专利 :CN103682002A ,2014-03-26

[9]

第III 族氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

丰田达宪 ;

柴田智彦 .

中国专利 :CN103140947A ,2013-06-05

[10]

第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法 [P].

户谷真悟 .

中国专利 :CN105280778A ,2016-01-27

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