III族氮化物衬底及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611247232.2

申请日：

2016-12-29

公开(公告)号：

CN106783579A

公开(公告)日：

2017-05-31

发明(设计)人：

王建峰徐科张育民王明月任国强徐俞

申请人：

申请人地址：

215123 江苏省苏州市独墅湖高教区若水路398号

IPC主分类号：

H01L21306

IPC分类号：

代理机构：

上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294

代理人：

孙佳胤

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-12-13	授权	授权
2017-06-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101729301338 IPC(主分类):H01L 21/306 专利申请号:2016112472322 申请日:20161229
2017-05-31	公开	公开

共 50 条

[1]

III族氮化物衬底及其制备方法 [P].

王明月 ;

王建峰 ;

徐科 ;

陈吉湖 .

中国专利 :CN106711023A ,2017-05-24

[2]

III族氮化物衬底 [P].

王明月 ;

王建峰 ;

徐科 .

中国专利 :CN204905260U ,2015-12-23

[3]

III族氮化物衬底以及制备工艺 [P].

王明月 ;

王建峰 ;

徐科 .

中国专利 :CN105097893A ,2015-11-25

[4]

第III族氮化物衬底的制造方法及第 III 族氮化物衬底 [P].

北村寿朗 ;

柴田真佐知 ;

吉田丈洋 .

中国专利 :CN107978509A ,2018-05-01

[5]

III族氮化物复合衬底 [P].

佐藤一成 ;

吉田浩章 ;

山本喜之 ;

八乡昭广 ;

松原秀树 .

中国专利 :CN102906857A ,2013-01-30

[6]

III族氮化物复合衬底及其制造方法、层叠的III族氮化物复合衬底、III族氮化物半导体器件及其制造方法 [P].

木山诚 ;

石桥惠二 ;

八乡昭广 ;

松本直树 ;

中西文毅 .

中国专利 :CN104781907B ,2015-07-15

[7]

III族氮化物复合衬底及其制造方法，层叠的III族氮化物复合衬底，以及III族氮化物半导体器件及其制造方法 [P].

石桥惠二 ;

柳泽拓弥 ;

上松康二 ;

关裕纪 ;

山本喜之 .

中国专利 :CN104995713A ,2015-10-21

[8]

多孔III族氮化物及其制备方法 [P].

赵丽霞 ;

李晓东 .

中国专利 :CN109440180B ,2019-03-08

[9]

III族氮化物结晶的制造方法和III族氮化物结晶 [P].

松本创 ;

洲崎训任 ;

藤户健史 ;

长尾哲 .

中国专利 :CN103502514A ,2014-01-08

[10]

III族氮化物基板的制造方法和III族氮化物基板 [P].

久保田芳宏 ;

永田和寿 .

中国专利 :CN114901876A ,2022-08-12

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