多孔III族氮化物及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811182263.3

申请日：

2018-10-10

公开(公告)号：

CN109440180B

公开(公告)日：

2019-03-08

发明(设计)人：

赵丽霞李晓东

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

C25F312

IPC分类号：

C25F700

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

吴梦圆

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C25F 3/12 申请日:20181010
2021-01-05	授权	授权
2019-03-08	公开	公开

共 50 条

[1]

III族氮化物衬底及其制备方法 [P].

王明月 ;

王建峰 ;

徐科 ;

陈吉湖 .

中国专利 :CN106711023A ,2017-05-24

[2]

III族氮化物衬底及其制备方法 [P].

王建峰 ;

徐科 ;

张育民 ;

王明月 ;

任国强 ;

徐俞 .

中国专利 :CN106783579A ,2017-05-31

[3]

III族氮化物晶体、III族氮化物基板及III族氮化物晶体的制造方法 [P].

森勇介 ;

吉村政志 ;

今西正幸 ;

北本启 ;

隅智亮 ;

泷野淳一 ;

冈山芳央 .

中国专利 :CN113802185A ,2021-12-17

[4]

III族氮化物晶体、III族氮化物基板及III族氮化物晶体的制造方法 [P].

森勇介 ;

吉村政志 ;

今西正幸 ;

北本启 ;

隅智亮 ;

泷野淳一 ;

冈山芳央 .

中国专利 :CN113808926A ,2021-12-17

[5]

形成多孔III族氮化物材料的方法 [P].

刘颖俊 ;

朱彤彤 .

英国专利 :CN118541779A ,2024-08-23

[6]

III族氮化物器件以及制备基于III族氮化物的器件的方法 [P].

A·比尔纳 ;

H·布雷希 ;

J·特怀南 .

中国专利 :CN113571573A ,2021-10-29

[7]

III族氮化物结晶的制造方法和III族氮化物结晶 [P].

松本创 ;

洲崎训任 ;

藤户健史 ;

长尾哲 .

中国专利 :CN103502514A ,2014-01-08

[8]

多孔III族氮化物以及其使用和制造方法 [P].

韩仲 ;

熊康林 ;

袁格 ;

张成 .

中国专利 :CN114787964A ,2022-07-22

[9]

III族氮化物基板的制造方法和III族氮化物基板 [P].

久保田芳宏 ;

永田和寿 .

中国专利 :CN114901876A ,2022-08-12

[10]

III族氮化物基板的制造方法和III族氮化物基板 [P].

久保田芳宏 ;

永田和寿 .

日本专利 :CN114901876B ,2024-08-27

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