形成多孔III族氮化物材料的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202280072817.2

申请日：

2022-08-26

公开(公告)号：

CN118541779A

公开(公告)日：

2024-08-23

发明(设计)人：

刘颖俊朱彤彤

申请人：

波拉科技有限公司

申请人地址：

英国剑桥郡

IPC主分类号：

H01L21/306

IPC分类号：

代理机构：

华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

陈习

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-08-23	公开	公开
2024-09-10	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/306申请日:20220826

共 50 条

[1]

形成III族氮化物合金 [P].

李晓航 ;

刘开锴 .

中国专利 :CN111512414A ,2020-08-07

[2]

III族氮化物器件及形成III族氮化物器件的方法 [P].

乌梅什·米什拉 ;

李·麦卡蒂 ;

尼古拉斯·菲希坦鲍姆 .

中国专利 :CN104952709B ,2015-09-30

[3]

用于形成III族氮化物材料的方法以及通过该方法形成的结构 [P].

C·阿里纳 ;

R·T·小伯特伦 ;

E·林多 ;

S·马哈詹 ;

F·孟 .

中国专利 :CN103237929B ,2013-08-07

[4]

III族氮化物晶体、III族氮化物基板及III族氮化物晶体的制造方法 [P].

森勇介 ;

吉村政志 ;

今西正幸 ;

北本启 ;

隅智亮 ;

泷野淳一 ;

冈山芳央 .

中国专利 :CN113802185A ,2021-12-17

[5]

III族氮化物晶体、III族氮化物基板及III族氮化物晶体的制造方法 [P].

森勇介 ;

吉村政志 ;

今西正幸 ;

北本启 ;

隅智亮 ;

泷野淳一 ;

冈山芳央 .

中国专利 :CN113808926A ,2021-12-17

[6]

多孔III族氮化物及其制备方法 [P].

赵丽霞 ;

李晓东 .

中国专利 :CN109440180B ,2019-03-08

[7]

III族氮化物发光器件、III族氮化物外延晶片、III族氮化物发光器件的制作方法 [P].

上杉谦次郎 ;

三宅秀人 ;

中村孝夫 .

日本专利 :CN117916901A ,2024-04-19

[8]

用于III族氮化物器件的电荷保护 [P].

R.克内夫勒 ;

M.施特拉斯堡 .

中国专利 :CN104022104B ,2014-09-03

[9]

III族氮化物结晶的制造方法和III族氮化物结晶 [P].

松本创 ;

洲崎训任 ;

藤户健史 ;

长尾哲 .

中国专利 :CN103502514A ,2014-01-08

[10]

III族氮化物基板的制造方法和III族氮化物基板 [P].

久保田芳宏 ;

永田和寿 .

中国专利 :CN114901876A ,2022-08-12

← 1 2 3 4 5 →