用于III族氮化物器件的电荷保护

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410070968.1

申请日：

2014-02-28

公开(公告)号：

CN104022104B

公开(公告)日：

2014-09-03

发明(设计)人：

R.克内夫勒 M.施特拉斯堡

申请人：

申请人地址：

奥地利菲拉赫

IPC主分类号：

H01L23552

IPC分类号：

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

周学斌;胡莉莉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-10-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101587255504 IPC(主分类):H01L 23/552 专利申请号:2014100709681 申请日:20140228
2017-04-12	授权	授权
2014-09-03	公开	公开

共 50 条

[1]

III族氮化物半导体器件 [P].

千代敏明 ;

伊藤润 ;

柴田直树 .

中国专利 :CN1486513A ,2004-03-31

[2]

III族氮化物半导体晶体、III族氮化物半导体器件以及发光器件 [P].

中畑成二 ;

中幡英章 ;

上松康二 ;

木山诚 ;

永井阳一 ;

中村孝夫 .

中国专利 :CN101882571A ,2010-11-10

[3]

III族氮化物发光器件、III族氮化物外延晶片、III族氮化物发光器件的制作方法 [P].

上杉谦次郎 ;

三宅秀人 ;

中村孝夫 .

日本专利 :CN117916901A ,2024-04-19

[4]

III族氮化物器件及形成III族氮化物器件的方法 [P].

乌梅什·米什拉 ;

李·麦卡蒂 ;

尼古拉斯·菲希坦鲍姆 .

中国专利 :CN104952709B ,2015-09-30

[5]

高击穿电压III族氮化物器件 [P].

O.赫贝尔伦 ;

C.奥斯特迈尔 ;

G.普雷希特尔 .

中国专利 :CN103594507A ,2014-02-19

[6]

III族氮化物器件以及制备基于III族氮化物的器件的方法 [P].

A·比尔纳 ;

H·布雷希 ;

J·特怀南 .

中国专利 :CN113571573A ,2021-10-29

[7]

III族氮化物双向器件 [P].

G·普雷科托 ;

O·黑伯伦 ;

C·奥斯特梅尔 .

中国专利 :CN107068746A ,2017-08-18

[8]

III族氮化物发光器件 [P].

M.J.格伦德曼恩 ;

N.F.加德纳 ;

W.K.戈伊茨 ;

M.B.麦克劳林 ;

J.E.埃普勒 ;

F.A.利昂 .

中国专利 :CN103180973A ,2013-06-26

[9]

III族氮化物发光器件及制造III族氮化物基半导体发光器件的方法 [P].

秋田胜史 ;

笠井仁 ;

京野孝史 ;

元木健作 .

中国专利 :CN101515700A ,2009-08-26

[10]

III族氮化物结晶的制造方法和III族氮化物结晶 [P].

松本创 ;

洲崎训任 ;

藤户健史 ;

长尾哲 .

中国专利 :CN103502514A ,2014-01-08

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