III族氮化物发光器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180052905.8

申请日：

2011-10-27

公开(公告)号：

CN103180973A

公开(公告)日：

2013-06-26

发明(设计)人：

M.J.格伦德曼恩 N.F.加德纳 W.K.戈伊茨 M.B.麦克劳林 J.E.埃普勒 F.A.利昂

申请人：

申请人地址：

荷兰艾恩德霍芬

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3312 H01L3332 H01L2102 H01S502 H01S5183 H01S5343 H01L3310

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

李亚非;汪扬

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-07-06	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101735269356 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2011800529058 申请公布日:20130626
2013-12-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101550921848 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2011800529058 申请日:20111027
2013-06-26	公开	公开

共 50 条

[1]

III族氮化物发光器件、III族氮化物外延晶片、III族氮化物发光器件的制作方法 [P].

上杉谦次郎 ;

三宅秀人 ;

中村孝夫 .

日本专利 :CN117916901A ,2024-04-19

[2]

包含硼的III族氮化物发光器件 [P].

M.B.麦克劳林 .

中国专利 :CN102341887A ,2012-02-01

[3]

III族氮化物半导体发光器件 [P].

金昌台 ;

南起燃 .

中国专利 :CN102549782A ,2012-07-04

[4]

III族氮化物半导体发光器件 [P].

奥野浩司 ;

宫崎敦嗣 .

中国专利 :CN102208511A ,2011-10-05

[5]

III族氮化物半导体发光器件 [P].

上村俊也 ;

伊藤润 .

中国专利 :CN102024892A ,2011-04-20

[6]

III族氮化物半导体发光器件 [P].

中村亮 .

中国专利 :CN103165772A ,2013-06-19

[7]

III族氮化物半导体发光器件 [P].

朴恩铉 ;

全水根 ;

林在球 .

中国专利 :CN102217100A ,2011-10-12

[8]

III族氮化物半导体发光器件 [P].

斋藤义树 ;

奥野浩司 ;

牛田泰久 .

中国专利 :CN102208510A ,2011-10-05

[9]

III族氮化物半导体发光器件 [P].

南起燃 ;

金贤锡 ;

金昌台 .

中国专利 :CN102782884A ,2012-11-14

[10]

III族氮化物半导体发光器件 [P].

金昌台 ;

罗珉圭 .

中国专利 :CN102203968A ,2011-09-28

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