包含硼的III族氮化物发光器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201080010286.1

申请日：

2010-02-04

公开(公告)号：

CN102341887A

公开(公告)日：

2012-02-01

发明(设计)人：

M.B.麦克劳林

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L3332 H01S5343

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

汪扬;刘鹏

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-09-25	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/02 登记生效日:20200907 变更事项:专利权人变更前权利人:亮锐有限责任公司变更后权利人:亮锐控股有限公司变更事项:地址变更前权利人:美国加利福尼亚州变更后权利人:荷兰史基浦变更事项:共同专利权人变更前权利人:皇家飞利浦有限公司
2015-09-30	授权	授权
2012-02-01	公开	公开
2020-09-25	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/02 变更事项:专利权人变更前:飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司变更后:亮锐有限责任公司变更事项:地址变更前:美国加利福尼亚州变更后:美国加利福尼亚州变更事项:共同专利权人变更前:皇家飞利浦电子股份有限公司变更后:皇家飞利浦有限公司
2012-04-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101227309904 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2010800102861 申请日:20100204

共 50 条

[1]

III族氮化物发光器件 [P].

M.J.格伦德曼恩 ;

N.F.加德纳 ;

W.K.戈伊茨 ;

M.B.麦克劳林 ;

J.E.埃普勒 ;

F.A.利昂 .

中国专利 :CN103180973A ,2013-06-26

[2]

III族氮化物发光器件、III族氮化物外延晶片、III族氮化物发光器件的制作方法 [P].

上杉谦次郎 ;

三宅秀人 ;

中村孝夫 .

日本专利 :CN117916901A ,2024-04-19

[3]

III族氮化物发光器件及制造III族氮化物基半导体发光器件的方法 [P].

秋田胜史 ;

笠井仁 ;

京野孝史 ;

元木健作 .

中国专利 :CN101515700A ,2009-08-26

[4]

III族氮化物半导体发光器件 [P].

金昌台 ;

南起燃 .

中国专利 :CN102549782A ,2012-07-04

[5]

III族氮化物半导体发光器件 [P].

奥野浩司 ;

宫崎敦嗣 .

中国专利 :CN102208511A ,2011-10-05

[6]

III族氮化物半导体发光器件 [P].

上村俊也 ;

伊藤润 .

中国专利 :CN102024892A ,2011-04-20

[7]

III族氮化物半导体发光器件 [P].

中村亮 .

中国专利 :CN103165772A ,2013-06-19

[8]

III族氮化物半导体发光器件 [P].

朴恩铉 ;

全水根 ;

林在球 .

中国专利 :CN102217100A ,2011-10-12

[9]

III族氮化物半导体发光器件 [P].

斋藤义树 ;

奥野浩司 ;

牛田泰久 .

中国专利 :CN102208510A ,2011-10-05

[10]

III族氮化物半导体发光器件 [P].

南起燃 ;

金贤锡 ;

金昌台 .

中国专利 :CN102782884A ,2012-11-14

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