III族氮化物结晶的制造方法和III族氮化物结晶

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280018140.0

申请日：

2012-04-13

公开(公告)号：

CN103502514A

公开(公告)日：

2014-01-08

发明(设计)人：

松本创洲崎训任藤户健史长尾哲

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C30B2938

IPC分类号：

C30B3302

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

庞东成;张志楠

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-01-08	公开	公开
2014-02-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101570122676 IPC(主分类):C30B 29/38 专利申请号:2012800181400 申请日:20120413
2016-08-24	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101738056898 IPC(主分类):C30B 29/38 专利申请号:2012800181400 申请公布日:20140108

共 50 条

[1]

III族氮化物基板和III族氮化物结晶的制造方法 [P].

森勇介 ;

吉村政志 ;

今西正幸 ;

北本启 ;

泷野淳一 ;

隅智亮 ;

冈山芳央 .

中国专利 :CN110714190A ,2020-01-21

[2]

III族氮化物结晶的制造方法及III族氮化物结晶制造装置 [P].

森勇介 ;

吉村政志 ;

今出完 ;

伊势村雅士 ;

冈山芳央 .

中国专利 :CN106460228A ,2017-02-22

[3]

III族氮化物结晶的制造方法 [P].

森勇介 ;

吉村政志 ;

今西正幸 ;

北本启 ;

泷野淳一 ;

隅智亮 .

中国专利 :CN111519247A ,2020-08-11

[4]

III族氮化物结晶的制造方法 [P].

森勇介 ;

吉村政志 ;

今西正幸 ;

北本启 ;

泷野淳一 ;

隅智亮 .

日本专利 :CN111519247B ,2024-07-16

[5]

III族氮化物结晶的制造方法、III族氮化物结晶及半导体装置 [P].

森勇介 ;

今出完 ;

吉村政志 ;

平尾美帆子 ;

今西正幸 .

中国专利 :CN104040039B ,2014-09-10

[6]

III族氮化物基板以及III族氮化物结晶的制造方法 [P].

冈山芳央 .

中国专利 :CN107230737B ,2019-03-08

[7]

III族氮化物结晶的制造方法 [P].

森勇介 ;

今西正幸 ;

吉村政志 ;

村上航介 ;

小松真介 ;

多田昌浩 ;

冈山芳央 .

日本专利 :CN111575796B ,2024-07-23

[8]

III族氮化物结晶的制造方法 [P].

多田昌浩 ;

小松真介 ;

森勇介 ;

今西正幸 .

中国专利 :CN110387581A ,2019-10-29

[9]

III族氮化物结晶的制造方法 [P].

森勇介 ;

今西正幸 ;

吉村政志 ;

村上航介 ;

冈山芳央 .

中国专利 :CN110219047A ,2019-09-10

[10]

III族氮化物结晶的制造方法 [P].

森勇介 ;

今西正幸 ;

吉村政志 ;

村上航介 ;

小松真介 ;

多田昌浩 ;

冈山芳央 .

中国专利 :CN111575796A ,2020-08-25

← 1 2 3 4 5 →