III族氮化物结晶的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910135561.5

申请日：

2019-02-21

公开(公告)号：

CN110219047A

公开(公告)日：

2019-09-10

发明(设计)人：

森勇介今西正幸吉村政志村上航介冈山芳央

申请人：

申请人地址：

日本国大阪府

IPC主分类号：

C30B2940

IPC分类号：

C30B1902 C30B1912

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

葛凡

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-09-10	公开	公开
2022-08-19	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):C30B 29/40 变更事项:申请人变更前:国立大学法人大阪大学变更后:国立大学法人大阪大学变更事项:地址变更前:日本国大阪府变更后:日本国大阪府变更事项:申请人变更前:松下电器产业株式会社变更后:松下控股株式会社
2021-01-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/40 申请日:20190221

共 50 条

[1]

III族氮化物结晶的制造方法和III族氮化物结晶 [P].

松本创 ;

洲崎训任 ;

藤户健史 ;

长尾哲 .

中国专利 :CN103502514A ,2014-01-08

[2]

III族氮化物结晶的制造方法 [P].

森勇介 ;

今西正幸 ;

吉村政志 ;

村上航介 ;

小松真介 ;

多田昌浩 ;

冈山芳央 .

日本专利 :CN111575796B ,2024-07-23

[3]

III族氮化物结晶的制造方法 [P].

多田昌浩 ;

小松真介 ;

森勇介 ;

今西正幸 .

中国专利 :CN110387581A ,2019-10-29

[4]

III族氮化物结晶的制造方法 [P].

森勇介 ;

今西正幸 ;

吉村政志 ;

村上航介 ;

小松真介 ;

多田昌浩 ;

冈山芳央 .

中国专利 :CN111575796A ,2020-08-25

[5]

III族氮化物结晶的制造方法 [P].

森勇介 ;

今西正幸 ;

冈本贵敏 .

日本专利 :CN110468455B ,2024-07-23

[6]

III族氮化物结晶的制造方法 [P].

森勇介 ;

今西正幸 ;

冈本贵敏 .

中国专利 :CN110468455A ,2019-11-19

[7]

III族氮化物结晶的制造方法及III族氮化物结晶制造装置 [P].

森勇介 ;

吉村政志 ;

今出完 ;

伊势村雅士 ;

冈山芳央 .

中国专利 :CN106460228A ,2017-02-22

[8]

III族氮化物基板和III族氮化物结晶的制造方法 [P].

森勇介 ;

吉村政志 ;

今西正幸 ;

北本启 ;

泷野淳一 ;

隅智亮 ;

冈山芳央 .

中国专利 :CN110714190A ,2020-01-21

[9]

III族氮化物结晶的制造方法 [P].

森勇介 ;

吉村政志 ;

今西正幸 ;

北本启 ;

泷野淳一 ;

隅智亮 .

中国专利 :CN111519247A ,2020-08-11

[10]

III族氮化物结晶的制造方法 [P].

森勇介 ;

吉村政志 ;

今西正幸 ;

北本启 ;

泷野淳一 ;

隅智亮 .

日本专利 :CN111519247B ,2024-07-16

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