III族氮化物结晶的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910386973.6

申请日：

2019-05-09

公开(公告)号：

CN110468455B

公开(公告)日：

2024-07-23

发明(设计)人：

森勇介今西正幸冈本贵敏

申请人：

国立大学法人大阪大学松下控股株式会社

申请人地址：

日本国大阪府

IPC主分类号：

C30B29/40

IPC分类号：

C30B25/00

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

蒋亭

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-07-23	授权	授权

共 50 条

[1]

III族氮化物结晶的制造方法 [P].

森勇介 ;

今西正幸 ;

冈本贵敏 .

中国专利 :CN110468455A ,2019-11-19

[2]

III族氮化物结晶的制造方法和III族氮化物结晶 [P].

松本创 ;

洲崎训任 ;

藤户健史 ;

长尾哲 .

中国专利 :CN103502514A ,2014-01-08

[3]

III族氮化物结晶的制造方法 [P].

森勇介 ;

吉村政志 ;

今西正幸 ;

北本启 ;

泷野淳一 ;

隅智亮 .

中国专利 :CN111519247A ,2020-08-11

[4]

III族氮化物结晶的制造方法 [P].

森勇介 ;

今西正幸 ;

吉村政志 ;

村上航介 ;

小松真介 ;

多田昌浩 ;

冈山芳央 .

日本专利 :CN111575796B ,2024-07-23

[5]

III族氮化物结晶的制造方法 [P].

多田昌浩 ;

小松真介 ;

森勇介 ;

今西正幸 .

中国专利 :CN110387581A ,2019-10-29

[6]

III族氮化物结晶的制造方法 [P].

森勇介 ;

吉村政志 ;

今西正幸 ;

北本启 ;

泷野淳一 ;

隅智亮 .

日本专利 :CN111519247B ,2024-07-16

[7]

III族氮化物结晶的制造方法 [P].

森勇介 ;

今西正幸 ;

吉村政志 ;

村上航介 ;

冈山芳央 .

中国专利 :CN110219047A ,2019-09-10

[8]

III族氮化物结晶的制造方法 [P].

森勇介 ;

今西正幸 ;

吉村政志 ;

村上航介 ;

小松真介 ;

多田昌浩 ;

冈山芳央 .

中国专利 :CN111575796A ,2020-08-25

[9]

III族氮化物结晶的制造方法及III族氮化物结晶制造装置 [P].

森勇介 ;

吉村政志 ;

今出完 ;

伊势村雅士 ;

冈山芳央 .

中国专利 :CN106460228A ,2017-02-22

[10]

III族氮化物基板和III族氮化物结晶的制造方法 [P].

森勇介 ;

吉村政志 ;

今西正幸 ;

北本启 ;

泷野淳一 ;

隅智亮 ;

冈山芳央 .

中国专利 :CN110714190A ,2020-01-21

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