III族氮化物结晶的制造方法、III族氮化物结晶及半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201380005328.6

申请日：

2013-01-10

公开(公告)号：

CN104040039B

公开(公告)日：

2014-09-10

发明(设计)人：

森勇介今出完吉村政志平尾美帆子今西正幸

申请人：

申请人地址：

日本大阪府吹田市

IPC主分类号：

C30B1902

IPC分类号：

C30B2938 H01L21208

代理机构：

北京北翔知识产权代理有限公司 11285

代理人：

钟守期;苏萌

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-09-10	公开	公开
2016-08-31	授权	授权
2014-10-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101587397194 IPC(主分类):C30B 19/02 专利申请号:2013800053286 申请日:20130110

共 50 条

[1]

III族氮化物结晶的制造方法及III族氮化物结晶制造装置 [P].

森勇介 ;

吉村政志 ;

今出完 ;

伊势村雅士 ;

冈山芳央 .

中国专利 :CN106460228A ,2017-02-22

[2]

III族氮化物结晶的制造方法和III族氮化物结晶 [P].

松本创 ;

洲崎训任 ;

藤户健史 ;

长尾哲 .

中国专利 :CN103502514A ,2014-01-08

[3]

III族氮化物基板和III族氮化物结晶的制造方法 [P].

森勇介 ;

吉村政志 ;

今西正幸 ;

北本启 ;

泷野淳一 ;

隅智亮 ;

冈山芳央 .

中国专利 :CN110714190A ,2020-01-21

[4]

III族氮化物基板以及III族氮化物结晶的制造方法 [P].

冈山芳央 .

中国专利 :CN107230737B ,2019-03-08

[5]

III族氮化物结晶的制造方法 [P].

森勇介 ;

吉村政志 ;

今西正幸 ;

北本启 ;

泷野淳一 ;

隅智亮 .

中国专利 :CN111519247A ,2020-08-11

[6]

III族氮化物结晶的制造方法 [P].

森勇介 ;

今西正幸 ;

吉村政志 ;

村上航介 ;

小松真介 ;

多田昌浩 ;

冈山芳央 .

日本专利 :CN111575796B ,2024-07-23

[7]

III族氮化物结晶的制造方法 [P].

多田昌浩 ;

小松真介 ;

森勇介 ;

今西正幸 .

中国专利 :CN110387581A ,2019-10-29

[8]

III族氮化物结晶的制造方法 [P].

森勇介 ;

吉村政志 ;

今西正幸 ;

北本启 ;

泷野淳一 ;

隅智亮 .

日本专利 :CN111519247B ,2024-07-16

[9]

III族氮化物结晶的制造方法 [P].

森勇介 ;

今西正幸 ;

吉村政志 ;

村上航介 ;

冈山芳央 .

中国专利 :CN110219047A ,2019-09-10

[10]

III族氮化物结晶的制造方法 [P].

森勇介 ;

今西正幸 ;

吉村政志 ;

村上航介 ;

小松真介 ;

多田昌浩 ;

冈山芳央 .

中国专利 :CN111575796A ,2020-08-25

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