氮化物半导体衬底、层叠结构体和氮化物半导体衬底的制造方法

被引：0

申请号：

CN202080066953.1

申请日：

2020-10-09

公开(公告)号：

CN114423891A

公开(公告)日：

2022-04-29

发明(设计)人：

吉田丈洋

申请人：

申请人地址：

日本茨城县

IPC主分类号：

C30B2940

IPC分类号：

C30B2518 H01L21205

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

朱丹

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-13	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):C30B 29/40 登记生效日:20221130 变更事项:申请人变更前权利人:株式会社赛奧科思变更后权利人:住友化学株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本茨城县变更后权利人:日本国东京都变更事项:申请人变更前权利人:住友化学株式会社
2022-05-20	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/40 申请日:20201009
2022-04-29	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化物半导体衬底、层叠结构体和氮化物半导体衬底的制造方法 [P].

吉田丈洋 .

日本专利 :CN114423891B ,2024-09-06

[2]

氮化物半导体衬底和氮化物半导体衬底的制造方法 [P].

入仓正登 ;

饼田恭志 ;

中山雅博 .

中国专利 :CN100361323C ,2005-04-06

[3]

氮化物半导体衬底和氮化物半导体衬底的加工方法 [P].

中山雅博 ;

松本直树 ;

玉村好司 ;

池田昌夫 .

中国专利 :CN100416868C ,2004-11-24

[4]

氮化物半导体衬底和氮化物半导体衬底的加工方法 [P].

中山雅博 ;

松本直树 ;

玉村好司 ;

池田昌夫 .

中国专利 :CN1994676A ,2007-07-11

[5]

ⅢA族氮化物半导体衬底的制造方法和ⅢA族氮化物半导体衬底 [P].

大岛佑一 .

中国专利 :CN101752240A ,2010-06-23

[6]

氮化物半导体衬底 [P].

目黑健 .

中国专利 :CN101714530A ,2010-05-26

[7]

氮化物半导体装置、氮化物半导体衬底以及氮化物半导体装置的制造方法 [P].

出来真斗 ;

陆顺 ;

天野浩 ;

本田善央 ;

田中敦之 ;

伊藤佑太 .

日本专利 :CN117716509A ,2024-03-15

[8]

半导体用氮化物衬底的制备方法及氮化物半导体衬底 [P].

松本直树 .

中国专利 :CN100424817C ,2005-05-04

[9]

氮化物半导体衬底的制造方法、氮化物半导体衬底以及其加热装置 [P].

三宅秀人 .

中国专利 :CN115064621A ,2022-09-16

[10]

氮化物半导体衬底、其制造方法及氮化物半导体装置 [P].

大岛佑一 ;

吉田丈洋 .

中国专利 :CN102212883B ,2011-10-12

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