Ⅲ族氮化物半导体器件和外延衬底

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200680000560.0

申请日：

2006-01-20

公开(公告)号：

CN1993834A

公开(公告)日：

2007-07-04

发明(设计)人：

三浦广平木山诚樱田隆

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L2947

IPC分类号：

H01L29872

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

林宇清;谢丽娜

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-08-29	实质审查的生效	实质审查的生效
2013-05-22	授权	授权
2007-07-04	公开	公开
2019-01-08	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/47 申请日:20060120 授权公告日:20130522 终止日期:20180120

共 50 条

[1]

Ⅲ族氮化物半导体器件和外延衬底 [P].

田边达也 ;

三浦广平 ;

木山诚 ;

樱田隆 .

中国专利 :CN1969380A ,2007-05-23

[2]

Ⅲ族氮化物半导体器件和外延衬底 [P].

田边达也 ;

木山诚 ;

三浦广平 ;

樱田隆 .

中国专利 :CN1977367A ,2007-06-06

[3]

Ⅲ族氮化物半导体器件、外延衬底及Ⅲ族氮化物半导体器件的制作方法 [P].

京野孝史 ;

善积祐介 ;

盐谷阳平 ;

秋田胜史 ;

上野昌纪 ;

住友隆道 ;

中村孝夫 .

中国专利 :CN101919076B ,2010-12-15

[4]

III族氮化物半导体衬底、外延衬底及半导体器件 [P].

石桥惠二 .

中国专利 :CN102471931B ,2012-05-23

[5]

III族氮化物半导体衬底、外延衬底及半导体器件 [P].

石桥惠二 .

中国专利 :CN102576787A ,2012-07-11

[6]

Ⅲ族氮化物电子器件及Ⅲ族氮化物半导体外延衬底 [P].

桥本信 ;

田边达也 .

中国专利 :CN101842884A ,2010-09-22

[7]

III族氮化物半导体光元件、外延衬底 [P].

善积祐介 ;

盐谷阳平 ;

秋田胜史 ;

上野昌纪 ;

京野孝史 ;

中村孝夫 .

中国专利 :CN102474076B ,2012-05-23

[8]

Ⅲ族氮化物晶体衬底及其制造方法，和Ⅲ族氮化物半导体器件 [P].

佐佐木孝友 ;

森勇介 ;

吉村政志 ;

川村史朗 ;

弘田龙 ;

中畑成二 .

中国专利 :CN1942611B ,2007-04-04

[9]

氮化物半导体外延衬底及半导体器件 [P].

田中丈士 .

中国专利 :CN109103251A ,2018-12-28

[10]

Ⅲ族氮化物半导体器件 [P].

酒井浩光 ;

奥山峰夫 .

中国专利 :CN100490190C ,2006-11-22

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