Ⅲ族氮化物半导体器件、外延衬底及Ⅲ族氮化物半导体器件的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200980100861.4

申请日：

2009-04-24

公开(公告)号：

CN101919076B

公开(公告)日：

2010-12-15

发明(设计)人：

京野孝史善积祐介盐谷阳平秋田胜史上野昌纪住友隆道中村孝夫

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

C30B2938 H01L21205 H01S5323

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

王海川;穆德骏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-02-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101035093439 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2009801008614 申请日:20090424
2012-10-17	授权	授权
2010-12-15	公开	公开

共 50 条

[1]

Ⅲ族氮化物电子器件及Ⅲ族氮化物半导体外延衬底 [P].

桥本信 ;

田边达也 .

中国专利 :CN101842884A ,2010-09-22

[2]

Ⅲ族氮化物半导体器件和外延衬底 [P].

三浦广平 ;

木山诚 ;

樱田隆 .

中国专利 :CN1993834A ,2007-07-04

[3]

Ⅲ族氮化物半导体器件和外延衬底 [P].

田边达也 ;

三浦广平 ;

木山诚 ;

樱田隆 .

中国专利 :CN1969380A ,2007-05-23

[4]

III族氮化物半导体衬底、外延衬底及半导体器件 [P].

石桥惠二 .

中国专利 :CN102471931B ,2012-05-23

[5]

III族氮化物半导体衬底、外延衬底及半导体器件 [P].

石桥惠二 .

中国专利 :CN102576787A ,2012-07-11

[6]

Ⅲ族氮化物半导体器件 [P].

酒井浩光 ;

奥山峰夫 .

中国专利 :CN100490190C ,2006-11-22

[7]

制备Ⅲ族氮化物半导体的方法及Ⅲ族氮化物半导体器件 [P].

小池正好 ;

小岛彰 ;

平松敏夫 ;

手钱雄太 .

中国专利 :CN1189920C ,2003-04-23

[8]

制备Ⅲ族氮化物半导体的方法及Ⅲ族氮化物半导体器件 [P].

小池正好 ;

手钱雄太 ;

平松敏夫 .

中国专利 :CN1413357A ,2003-04-23

[9]

Ⅲ族氮化物半导体器件和外延衬底 [P].

田边达也 ;

木山诚 ;

三浦广平 ;

樱田隆 .

中国专利 :CN1977367A ,2007-06-06

[10]

Ⅲ族氮化物半导体电子器件、制作Ⅲ族氮化物半导体电子器件的方法以及Ⅲ族氮化物半导体外延片 [P].

盐见弘 ;

住吉和英 ;

斋藤雄 ;

木山诚 .

中国专利 :CN102187433A ,2011-09-14

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