外延半导体衬底的制造方法和半导体器件的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610006728.0

申请日：

2006-02-07

公开(公告)号：

CN1828836A

公开(公告)日：

2006-09-06

发明(设计)人：

李浩申东石李化成上野哲嗣李承焕

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2120

IPC分类号：

H01L21322 H01L2902

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波;侯宇

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-04-01	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101603734650 IPC(主分类):H01L 21/20 专利号:ZL2006100067280 申请日:20060207 授权公告日:20110420 终止日期:20140207
2006-09-06	公开	公开
2008-04-09	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-04-20	授权	授权
2007-01-10	发明专利申请公布说明书更正	发明专利申请公布说明书更正更正卷:22 号:36 页码:扉页更正项目:优先权误:缺少优先权第二条正:2005.07.29 US 11/192,085

共 50 条

[1]

半导体衬底、半导体器件和半导体衬底的制造方法 [P].

木岛公一朗 .

中国专利 :CN101317257A ,2008-12-03

[2]

半导体衬底的制造方法和半导体器件的制造方法 [P].

上田多加志 .

中国专利 :CN1467795A ,2004-01-14

[3]

半导体衬底、半导体器件和制造半导体衬底的方法 [P].

马克西姆·欧得诺莱多夫 ;

弗拉德斯拉夫·鲍格诺夫 ;

亚历克斯·罗马诺夫 ;

蒂姆·朗 .

中国专利 :CN101080808A ,2007-11-28

[4]

半导体衬底的制造方法、半导体器件及其制造方法 [P].

镰田润 ;

春田佳一郎 ;

畦崎崇 ;

今川清水 ;

藤井谦一 ;

茅场靖刚 ;

高村一夫 .

中国专利 :CN110546746A ,2019-12-06

[5]

半导体衬底夹具和半导体器件的制造方法 [P].

手代木和雄 ;

下别府祐三 ;

吉本和浩 ;

渡部光久 ;

新城嘉昭 ;

吉田英治 ;

早坂昇 .

中国专利 :CN1198327C ,2003-04-23

[6]

半导体衬底、半导体器件制造方法和半导体器件测试方法 [P].

藤井滋 ;

有坂义一 ;

居鹤仁 ;

田代一宏 ;

丸山茂幸 .

中国专利 :CN1773679A ,2006-05-17

[7]

半导体器件的制造方法、半导体器件、支撑衬底和半导体制造装置 [P].

辻井浩 .

中国专利 :CN103681398A ,2014-03-26

[8]

半导体衬底的制造方法及半导体器件的制造方法 [P].

塚本直树 ;

下村明久 .

中国专利 :CN101471248A ,2009-07-01

[9]

半导体衬底、半导体器件及半导体衬底制造方法 [P].

陈峰 .

中国专利 :CN112951897A ,2021-06-11

[10]

半导体衬底、半导体器件及半导体衬底制造方法 [P].

程凯 .

中国专利 :CN103681992A ,2014-03-26

← 1 2 3 4 5 →