一种SiC衬底双面生长SiC外延层的方法及应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010356535.8

申请日：

2020-04-29

公开(公告)号：

CN112038213B

公开(公告)日：

2020-12-04

发明(设计)人：

林云昊蔡文必毛张文郑元宇张恺玄

申请人：

申请人地址：

361000 福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L2104

代理机构：

厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204

代理人：

连耀忠;杨锴

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-12-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20200429
2022-06-14	授权	授权
2020-12-04	公开	公开

共 50 条

[1]

SiC衬底、SiC外延衬底、SiC晶锭及它们的制造方法 [P].

金子忠昭 .

中国专利 :CN114375351A ,2022-04-19

[2]

SiC衬底、SiC外延衬底、SiC晶锭及它们的制造方法 [P].

金子忠昭 .

日本专利 :CN114375351B ,2024-04-26

[3]

外延SiC单晶衬底及外延SiC单晶衬底的制造方法 [P].

百瀬賢治 ;

小田原道哉 ;

松沢圭一 ;

奥村元 ;

児島一聡 ;

石田夕起 ;

土田秀一 ;

鎌田功穗 .

中国专利 :CN101802273B ,2010-08-11

[4]

用于生产改进的SiC衬底和SiC外延层的方法 [P].

Y·C·阿朗戈 ;

G·阿尔菲里 ;

G·罗马诺 .

:CN119725074A ,2025-03-28

[5]

斜切SiC衬底上生长GaN外延层的方法及半导体器件 [P].

卢双赞 ;

潘嘉杰 ;

李思超 ;

向诗力 ;

贾汉祥 ;

董浩 ;

刘力 ;

柳俊 .

中国专利 :CN121218660A ,2025-12-26

[6]

SiC衬底同质网状生长Web Growth外延方法 [P].

贾仁需 ;

辛斌 ;

宋庆文 ;

张艺蒙 ;

闫宏丽 .

中国专利 :CN103489759B ,2014-01-01

[7]

一种SiC衬底生长GaN外延膜的方法 [P].

白俊春 ;

周小伟 ;

景文甲 ;

李培咸 ;

平加峰 .

中国专利 :CN109545661A ,2019-03-29

[8]

SiC基板的评价方法、SiC外延晶片的制造方法及SiC外延晶片 [P].

野口骏介 .

日本专利 :CN110890287B ,2024-07-12

[9]

用于半绝缘GaN外延层生长的SiC衬底表面处理方法 [P].

王科 ;

夏远洋 ;

李亦衡 ;

朱廷刚 .

中国专利 :CN114758948A ,2022-07-15

[10]

SiC基板的评价方法、SiC外延晶片的制造方法及SiC外延晶片 [P].

野口骏介 .

中国专利 :CN110890287A ,2020-03-17

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