一种选区外延高质量的AlGaN/GaN生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610801795.5

申请日：

2016-09-05

公开(公告)号：

CN106206297A

公开(公告)日：

2016-12-07

发明(设计)人：

刘扬张佳琳杨帆何亮

申请人：

申请人地址：

510275 广东省广州市新港西路135号

IPC主分类号：

H01L21335

IPC分类号：

H01L2102

代理机构：

广州粤高专利商标代理有限公司 44102

代理人：

陈卫

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-01-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101695170575 IPC(主分类):H01L 21/335 专利申请号:2016108017955 申请日:20160905
2016-12-07	公开	公开

共 50 条

[1]

一种选区外延高质量的AlGaN/GaN生长结构 [P].

刘扬 ;

张佳琳 ;

杨帆 ;

何亮 .

中国专利 :CN206301802U ,2017-07-04

[2]

一种基于锑化物材料选区外延生长的外延片生长方法 [P].

丁颖 ;

倪海桥 ;

雷玉新 ;

赵涛 .

中国专利 :CN114864618A ,2022-08-05

[3]

一种高质量氮化铝薄膜的同质外延生长方法 [P].

罗伟科 ;

李忠辉 .

中国专利 :CN111188090A ,2020-05-22

[4]

高质量单晶厚膜材料的异质外延生长方法 [P].

杜彦浩 ;

吴洁君 ;

张国义 ;

于彤军 ;

杨志坚 ;

康香宁 ;

贾传宇 ;

孙永健 ;

罗伟科 ;

刘鹏 .

中国专利 :CN101962803A ,2011-02-02

[5]

Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的选区外延生长方法及其应用 [P].

郄浩然 ;

刘建勋 ;

孙钱 ;

杨辉 .

中国专利 :CN118039456A ,2024-05-14

[6]

一种高质量氧化镓薄膜及其同质外延生长方法 [P].

董鑫 ;

张源涛 ;

李赜明 ;

张宝林 ;

焦腾 ;

李万程 .

中国专利 :CN110911270A ,2020-03-24

[7]

一种SiC衬底上生长高质量GaN外延膜的方法 [P].

白俊春 ;

周小伟 ;

景文甲 ;

李培咸 ;

平加峰 .

中国专利 :CN109524293B ,2019-03-26

[8]

选区外延生长方法及其中使用的掩膜结构 [P].

吴文俊 ;

赵勇明 ;

杨国文 ;

惠利省 ;

赵卫东 .

中国专利 :CN117364235B ,2024-03-26

[9]

选区外延生长方法及其中使用的掩膜结构 [P].

吴文俊 ;

赵勇明 ;

杨国文 ;

惠利省 ;

赵卫东 .

中国专利 :CN117364235A ,2024-01-09

[10]

在ZnO纳米线表面低温外延生长高质量GaN薄膜的方法 [P].

马宏平 ;

侯欣蓝 ;

张园览 ;

吴帆正树 .

中国专利 :CN112853319A ,2021-05-28

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