一种无间断生长高质量InGaN/GaN多量子阱的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210124792.4

申请日：

2012-04-25

公开(公告)号：

CN102637787B

公开(公告)日：

2012-08-15

发明(设计)人：

李盼盼李鸿渐张逸韵李志聪梁萌李璟王国宏

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L2120

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

宋焰琴

法律状态：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-10-15	授权	授权
2012-08-15	公开	公开
2012-10-03	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101332114576 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2012101247924 申请日:20120425

共 50 条

[1]

一种生长在蓝宝石衬底上的InGaN/GaN多量子阱结构 [P].

邓顺达 ;

林溪汉 ;

林政德 .

中国专利 :CN204257685U ,2015-04-08

[2]

生长在玻璃衬底上的InGaN/GaN多量子阱 [P].

李国强 ;

高芳亮 ;

温雷 .

中国专利 :CN206422090U ,2017-08-18

[3]

生长在Zr衬底上的InGaN/GaN多量子阱 [P].

李国强 ;

王文樑 ;

杨为家 ;

刘作莲 ;

林云昊 ;

周仕忠 ;

钱慧荣 .

中国专利 :CN203983322U ,2014-12-03

[4]

生长在W衬底上的InGaN/GaN多量子阱 [P].

李国强 ;

王文樑 ;

刘作莲 ;

杨为家 ;

林云昊 ;

周仕忠 ;

钱慧荣 .

中国专利 :CN204067413U ,2014-12-31

[5]

一种InGaN/GaN多量子阱基红光LED结构的制备方法 [P].

冀子武 ;

屈尚达 ;

李睿 ;

时凯居 ;

徐明升 ;

王成新 ;

徐现刚 .

中国专利 :CN111916538A ,2020-11-10

[6]

一种InGaN/GaN多量子阱基红光LED结构的制备方法 [P].

冀子武 ;

屈尚达 ;

李睿 ;

时凯居 ;

徐明升 ;

王成新 ;

徐现刚 .

中国专利 :CN111916538B ,2024-03-26

[7]

生长高质量氮化铟单晶外延膜的方法 [P].

王莉莉 ;

张书明 ;

杨辉 ;

梁骏吾 .

中国专利 :CN101525740B ,2009-09-09

[8]

生长在Zr衬底上的InGaN/GaN多量子阱及其制备方法 [P].

李国强 ;

王文樑 ;

杨为家 ;

刘作莲 ;

林云昊 ;

周仕忠 ;

钱慧荣 .

中国专利 :CN104134727A ,2014-11-05

[9]

生长在W衬底上的InGaN/GaN多量子阱及其制备方法 [P].

李国强 ;

王文樑 ;

刘作莲 ;

杨为家 ;

林云昊 ;

周仕忠 ;

钱慧荣 .

中国专利 :CN104157754B ,2014-11-19

[10]

生长在玻璃衬底上的InGaN/GaN多量子阱及其制备方法 [P].

李国强 ;

高芳亮 ;

温雷 .

中国专利 :CN106505135B ,2017-03-15

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