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生长在W衬底上的InGaN/GaN多量子阱

被引：0
专利类型：
实用新型
申请号：
CN201420369200.X
申请日：
2014-07-03
公开(公告)号：
CN204067413U
公开(公告)日：
2014-12-31
发明(设计)人：
李国强 王文樑 刘作莲 杨为家 林云昊 周仕忠 钱慧荣
申请人：
申请人地址：
510640 广东省广州市天河区五山路381号
IPC主分类号：
H01L3302
IPC分类号：
H01L3306 H01L3312 H01L3300
代理机构：
广州市华学知识产权代理有限公司 44245
代理人：
陈文姬
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2014-12-31 授权 授权
共 50 条
[1]
生长在玻璃衬底上的InGaN/GaN多量子阱 [P]. 
李国强 ;
高芳亮 ;
温雷 .
中国专利 :CN206422090U ,2017-08-18
[2]
生长在Zr衬底上的InGaN/GaN多量子阱 [P]. 
李国强 ;
王文樑 ;
杨为家 ;
刘作莲 ;
林云昊 ;
周仕忠 ;
钱慧荣 .
中国专利 :CN203983322U ,2014-12-03
[3]
生长在W衬底上的InGaN/GaN多量子阱及其制备方法 [P]. 
李国强 ;
王文樑 ;
刘作莲 ;
杨为家 ;
林云昊 ;
周仕忠 ;
钱慧荣 .
中国专利 :CN104157754B ,2014-11-19
[4]
生长在玻璃衬底上的InGaN/GaN多量子阱及其制备方法 [P]. 
李国强 ;
高芳亮 ;
温雷 .
中国专利 :CN106505135B ,2017-03-15
[5]
生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN多量子阱 [P]. 
李国强 ;
王文樑 ;
杨为家 ;
刘作莲 ;
林云昊 .
中国专利 :CN203339206U ,2013-12-11
[6]
生长在Zr衬底上的InGaN/GaN多量子阱及其制备方法 [P]. 
李国强 ;
王文樑 ;
杨为家 ;
刘作莲 ;
林云昊 ;
周仕忠 ;
钱慧荣 .
中国专利 :CN104134727A ,2014-11-05
[7]
生长在硅/石墨烯复合衬底上的InGaN/GaN多量子阱纳米柱 [P]. 
李国强 ;
高芳亮 ;
张曙光 ;
徐珍珠 ;
余粤锋 .
中国专利 :CN208570525U ,2019-03-01
[8]
一种生长在蓝宝石衬底上的InGaN/GaN多量子阱结构 [P]. 
邓顺达 ;
林溪汉 ;
林政德 .
中国专利 :CN204257685U ,2015-04-08
[9]
生长在铝酸镁钪衬底上的InGaN/GaN量子阱 [P]. 
李国强 ;
王文樑 ;
杨美娟 ;
林云昊 .
中国专利 :CN206225395U ,2017-06-06
[10]
生长在LiGaO2衬底上的非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱 [P]. 
李国强 ;
王海燕 ;
杨为家 .
中国专利 :CN206834194U ,2018-01-02
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