生长在LiGaO2衬底上的非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201621156607.X

申请日：

2016-10-31

公开(公告)号：

CN206834194U

公开(公告)日：

2018-01-02

发明(设计)人：

李国强王海燕杨为家

申请人：

申请人地址：

510640 广东省广州市天河区五山路381号

IPC主分类号：

H01L3302

IPC分类号：

H01L3306 H01L3312 H01L3332 H01L2102 H01L3300 B82Y4000

代理机构：

广州市华学知识产权代理有限公司 44245

代理人：

罗观祥

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-01-02	授权	授权

共 50 条

[1]

生长在LiGaO2衬底上的非极性多量子阱 [P].

李国强 ;

杨慧 .

中国专利 :CN203085628U ,2013-07-24

[2]

非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱及其制法 [P].

李国强 ;

王海燕 ;

杨为家 .

中国专利 :CN106384763A ,2017-02-08

[3]

生长在LiGaO2衬底上的非极性多量子阱及其制备方法 [P].

李国强 ;

杨慧 .

中国专利 :CN103035795A ,2013-04-10

[4]

生长在LiGaO2衬底上的非极性GaN薄膜 [P].

李国强 ;

杨慧 .

中国专利 :CN202454605U ,2012-09-26

[5]

生长在玻璃衬底上的InGaN/GaN多量子阱 [P].

李国强 ;

高芳亮 ;

温雷 .

中国专利 :CN206422090U ,2017-08-18

[6]

生长在Zr衬底上的InGaN/GaN多量子阱 [P].

李国强 ;

王文樑 ;

杨为家 ;

刘作莲 ;

林云昊 ;

周仕忠 ;

钱慧荣 .

中国专利 :CN203983322U ,2014-12-03

[7]

生长在LiGaO2衬底上的非极性掺杂GaN薄膜 [P].

李国强 ;

杨慧 .

中国专利 :CN203085631U ,2013-07-24

[8]

生长在W衬底上的InGaN/GaN多量子阱 [P].

李国强 ;

王文樑 ;

刘作莲 ;

杨为家 ;

林云昊 ;

周仕忠 ;

钱慧荣 .

中国专利 :CN204067413U ,2014-12-31

[9]

生长在硅/石墨烯复合衬底上的InGaN/GaN多量子阱纳米柱 [P].

李国强 ;

高芳亮 ;

张曙光 ;

徐珍珠 ;

余粤锋 .

中国专利 :CN208570525U ,2019-03-01

[10]

生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN纳米柱多量子阱 [P].

李国强 ;

杨美娟 ;

林云昊 ;

李媛 .

中国专利 :CN206225392U ,2017-06-06

← 1 2 3 4 5 →