生长在LiGaO2衬底上的非极性多量子阱及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210535031.8

申请日：

2012-12-11

公开(公告)号：

CN103035795A

公开(公告)日：

2013-04-10

发明(设计)人：

李国强杨慧

申请人：

申请人地址：

510641 广东省广州市天河区五山路381号

IPC主分类号：

H01L3312

IPC分类号：

H01L3306

代理机构：

广州市华学知识产权代理有限公司 44245

代理人：

蔡茂略

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-04-10	公开	公开
2013-05-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101452517992 IPC(主分类):H01L 33/12 专利申请号:2012105350318 申请日:20121211
2015-09-16	授权	授权

共 50 条

[1]

生长在LiGaO2衬底上的非极性多量子阱 [P].

李国强 ;

杨慧 .

中国专利 :CN203085628U ,2013-07-24

[2]

生长在LiGaO2衬底上的非极性InGaN/GaN多量子阱纳米柱 [P].

李国强 ;

王海燕 ;

杨为家 .

中国专利 :CN206834194U ,2018-01-02

[3]

生长在LiGaO2衬底上的非极性蓝光LED外延片及其制备方法 [P].

李国强 ;

杨慧 .

中国专利 :CN103035789B ,2013-04-10

[4]

生长在LiGaO2衬底上的非极性蓝光LED外延片 [P].

李国强 ;

杨慧 .

中国专利 :CN203085627U ,2013-07-24

[5]

生长在LiGaO2衬底上的非极性掺杂GaN薄膜 [P].

李国强 ;

杨慧 .

中国专利 :CN203085631U ,2013-07-24

[6]

生长在LiGaO2衬底上的非极性GaN薄膜 [P].

李国强 ;

杨慧 .

中国专利 :CN202454605U ,2012-09-26

[7]

生长在LiGaO2衬底上的非极性掺杂GaN薄膜及其制备方法 [P].

李国强 ;

杨慧 .

中国专利 :CN103031595B ,2013-04-10

[8]

生长在LiGaO2衬底上的非极性GaN薄膜及其制备方法、应用 [P].

李国强 ;

杨慧 .

中国专利 :CN102544276A ,2012-07-04

[9]

生长在玻璃衬底上的InGaN/GaN多量子阱及其制备方法 [P].

李国强 ;

高芳亮 ;

温雷 .

中国专利 :CN106505135B ,2017-03-15

[10]

生长在LiGaO2衬底上的非极性InN薄膜 [P].

李国强 ;

杨慧 .

中国专利 :CN202576646U ,2012-12-05

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