一种高质量GaN外延片

被引：0

申请号：

CN202222359335.5

申请日：

2022-09-06

公开(公告)号：

CN218498088U

公开(公告)日：

2023-02-17

发明(设计)人：

张洁张伯林

申请人：

申请人地址：

215000 江苏省苏州市常熟市通港路98号1幢2楼

IPC主分类号：

H01L3312

IPC分类号：

B82Y4000

代理机构：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-02-17	授权	授权

共 50 条

[1]

一种高质量外延结构 [P].

仇美懿 ;

庄家铭 ;

农明涛 .

中国专利 :CN210575998U ,2020-05-19

[2]

一种具有高质量InGaN/GaN有源层的LED外延结构 [P].

卓祥景 ;

陈凯轩 ;

林志伟 ;

蔡建九 ;

张永 ;

姜伟 ;

林志园 ;

尧刚 .

中国专利 :CN204167348U ,2015-02-18

[3]

一种SiC衬底上生长高质量GaN外延膜的方法 [P].

白俊春 ;

周小伟 ;

景文甲 ;

李培咸 ;

平加峰 .

中国专利 :CN109524293B ,2019-03-26

[4]

一种选区外延高质量的AlGaN/GaN生长结构 [P].

刘扬 ;

张佳琳 ;

杨帆 ;

何亮 .

中国专利 :CN206301802U ,2017-07-04

[5]

一种高质量GaN薄膜及其制备方法 [P].

贾伟 ;

樊腾 ;

李天保 ;

仝广运 ;

董海亮 ;

许并社 .

中国专利 :CN108538977B ,2018-09-14

[6]

一种AlGaN基深紫外LED外延片 [P].

高芳亮 ;

杨金铭 .

中国专利 :CN213816179U ,2021-07-27

[7]

高质量极片模切机 [P].

吴松彦 .

中国专利 :CN205816516U ,2016-12-21

[8]

高质量半导体外延片及其制备方法 [P].

闫其昂 ;

王国斌 .

中国专利 :CN114141615A ,2022-03-04

[9]

高质量半导体外延片及其制备方法 [P].

闫其昂 ;

王国斌 .

中国专利 :CN114141615B ,2025-12-12

[10]

一种高质量洗片装置 [P].

卢旗锋 ;

吕国来 .

中国专利 :CN212160343U ,2020-12-15

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