一种在异质衬底上生长高质量氮化铝薄膜的方法

被引：0

申请号：

CN202011036503.6

申请日：

2020-09-27

公开(公告)号：

CN114284397A

公开(公告)日：

2022-04-05

发明(设计)人：

魏同波常洪亮闫建昌王军喜李晋闽

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01L3332 H01L2102

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

周天宇

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20200927
2022-04-05	公开	公开

共 50 条

[1]

一种在硅衬底上生长高质量氮化铝的方法 [P].

张南红 ;

王晓亮 ;

曾一平 ;

肖红领 ;

王军喜 ;

刘宏新 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN100355027C ,2005-12-14

[2]

一种生长高质量单晶氮化铟薄膜的方法 [P].

张双翔 ;

蔡建九 ;

张银桥 ;

王向武 .

中国专利 :CN101397693B ,2009-04-01

[3]

在图形衬底上生长氮化物薄膜的方法 [P].

常洪亮 ;

魏同波 ;

闫建昌 ;

王军喜 .

中国专利 :CN109285758A ,2019-01-29

[4]

一种多孔氮化铝复合衬底及其在外延生长高质量氮化镓薄膜中的应用 [P].

罗伟科 ;

李亮 .

中国专利 :CN105489714B ,2016-04-13

[5]

一种高质量氮化铝薄膜的同质外延生长方法 [P].

罗伟科 ;

李忠辉 .

中国专利 :CN111188090A ,2020-05-22

[6]

一种在绝缘衬底上低温生长高质量石墨烯的工艺方法 [P].

徐晨 ;

邓军 ;

钱峰松 ;

解意洋 ;

胡良臣 .

中国专利 :CN114524431A ,2022-05-24

[7]

一种在绝缘衬底上低温生长高质量石墨烯的工艺方法 [P].

徐晨 ;

邓军 ;

钱峰松 ;

解意洋 ;

胡良臣 .

中国专利 :CN114524431B ,2024-03-15

[8]

高质量氮化铝模板及其制备方法 [P].

王新强 ;

袁冶 ;

刘上锋 ;

李泰 ;

王钇心 ;

李铎 ;

万文婷 .

中国专利 :CN113897678A ,2022-01-07

[9]

一种在硅上制备高质量无裂纹氮化铝薄膜的方法及其应用 [P].

杨学林 ;

沈波 ;

张立胜 .

中国专利 :CN114855280B ,2024-09-17

[10]

一种在硅上制备高质量无裂纹氮化铝薄膜的方法及其应用 [P].

杨学林 ;

沈波 ;

张立胜 .

中国专利 :CN114855280A ,2022-08-05

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