在图形衬底上生长氮化物薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811009044.5

申请日：

2018-08-30

公开(公告)号：

CN109285758A

公开(公告)日：

2019-01-29

发明(设计)人：

常洪亮魏同波闫建昌王军喜

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L3300 H01L3320

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

喻颖

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-03-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20180830
2019-01-29	公开	公开
2021-12-17	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 21/02 申请公布日:20190129

共 50 条

[1]

在图形衬底上生长氮化物薄膜结构及其方法 [P].

魏同波 ;

常洪亮 ;

闫建昌 ;

王军喜 .

中国专利 :CN111341648B ,2020-06-26

[2]

在硅衬底上远程外延生长氮化物薄膜的方法及氮化物薄膜和半导体器件 [P].

曹冰 ;

刘淼 ;

夏天 .

中国专利 :CN119685935A ,2025-03-25

[3]

在硅衬底上远程外延生长氮化物薄膜的方法及氮化物薄膜和半导体器件 [P].

曹冰 ;

刘淼 ;

夏天 .

中国专利 :CN119685935B ,2025-06-10

[4]

一种在图形衬底上生长氮化物薄膜外延层的方法 [P].

颜建锋 ;

李淼 ;

周健华 ;

潘尧波 ;

袁根如 ;

郝茂盛 ;

张国义 ;

刘文弟 .

中国专利 :CN101719466A ,2010-06-02

[5]

在硅衬底上生长无裂纹Ⅲ族氮化物薄膜的方法 [P].

陆沅 ;

刘祥林 ;

陆大成 ;

王晓晖 ;

王占国 .

中国专利 :CN1652299A ,2005-08-10

[6]

一种在异质衬底上生长高质量氮化铝薄膜的方法 [P].

魏同波 ;

常洪亮 ;

闫建昌 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN114284397A ,2022-04-05

[7]

一种在图形衬底上生长氮化物薄膜外延层的方法 [P].

颜建锋 ;

李淼 ;

周健华 ;

潘尧波 ;

袁根如 ;

郝茂盛 ;

张国义 ;

刘文弟 .

中国专利 :CN101702422B ,2010-05-05

[8]

一种远程外延生长氮化物薄膜的方法 [P].

曹冰 ;

刘淼 ;

夏天 .

中国专利 :CN120758974A ,2025-10-10

[9]

用于氮化物生长硅衬底实时图形化的方法 [P].

闫发旺 ;

张峰 ;

赵倍吉 ;

谢杰 .

中国专利 :CN105762064A ,2016-07-13

[10]

在蓝宝石图形衬底上外延生长氮化物外延膜的方法 [P].

李鸿渐 ;

李盼盼 ;

李志聪 ;

李璟 ;

王国宏 .

中国专利 :CN102394261A ,2012-03-28

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