用于氮化物生长硅衬底实时图形化的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610084232.9

申请日：

2016-02-06

公开(公告)号：

CN105762064A

公开(公告)日：

2016-07-13

发明(设计)人：

闫发旺张峰赵倍吉谢杰

申请人：

申请人地址：

201821 上海市嘉定区普惠路200号

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

C23C1644 H01L3322

代理机构：

上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294

代理人：

孙佳胤

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-07-13	公开	公开
2020-08-21	授权	授权

共 50 条

[1]

在图形衬底上生长氮化物薄膜的方法 [P].

常洪亮 ;

魏同波 ;

闫建昌 ;

王军喜 .

中国专利 :CN109285758A ,2019-01-29

[2]

用于氮化物外延生长的纳米级图形化衬底的制备方法 [P].

张佰君 ;

饶文涛 .

中国专利 :CN101640169B ,2010-02-03

[3]

硅衬底Ⅲ族氮化物外延生长 [P].

冯玉春 ;

李冀 ;

郭宝平 ;

张建宝 ;

李忠辉 ;

李岩 ;

牛憨笨 .

中国专利 :CN1824849A ,2006-08-30

[4]

在图形衬底上生长氮化物薄膜结构及其方法 [P].

魏同波 ;

常洪亮 ;

闫建昌 ;

王军喜 .

中国专利 :CN111341648B ,2020-06-26

[5]

一种用于氮化镓外延生长的图形化衬底材料 [P].

孙佳胤 ;

陈静 ;

王曦 .

中国专利 :CN1828913A ,2006-09-06

[6]

用于制备氮化物外延生长的纳米图形衬底的方法 [P].

牛凤娟 ;

苗振林 ;

赵胜能 ;

胡弃疾 .

中国专利 :CN103035806A ,2013-04-10

[7]

在硅衬底上远程外延生长氮化物薄膜的方法及氮化物薄膜和半导体器件 [P].

曹冰 ;

刘淼 ;

夏天 .

中国专利 :CN119685935A ,2025-03-25

[8]

在硅衬底上远程外延生长氮化物薄膜的方法及氮化物薄膜和半导体器件 [P].

曹冰 ;

刘淼 ;

夏天 .

中国专利 :CN119685935B ,2025-06-10

[9]

悬空图形化氧化铪衬底氮化物谐振光子器件及其制备方法 [P].

王永进 ;

朱洪波 .

中国专利 :CN102530822A ,2012-07-04

[10]

氮化物外延生长的纳米图形衬底制备方法 [P].

袁根如 ;

郝茂盛 ;

陈诚 .

中国专利 :CN101814564A ,2010-08-25

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