在硅衬底上远程外延生长氮化物薄膜的方法及氮化物薄膜和半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510199771.6

申请日：

2025-02-24

公开(公告)号：

CN119685935A

公开(公告)日：

2025-03-25

发明(设计)人：

曹冰刘淼夏天

申请人：

苏州大学

申请人地址：

215200 江苏省苏州市吴江区久泳西路1号

IPC主分类号：

C30B29/38

IPC分类号：

H01L21/02 C30B29/02 C30B29/40 C30B25/18

代理机构：

苏州创元专利商标事务所有限公司 32103

代理人：

俞春雷

法律状态：

授权

国省代码：

黑龙江省哈尔滨市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-10	授权	授权
2025-03-25	公开	公开
2025-04-11	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 29/38申请日:20250224

共 50 条

[1]

在硅衬底上远程外延生长氮化物薄膜的方法及氮化物薄膜和半导体器件 [P].

曹冰 ;

刘淼 ;

夏天 .

中国专利 :CN119685935B ,2025-06-10

[2]

氮化物薄膜及其远程外延方法和半导体器件 [P].

曹冰 ;

夏天 ;

刘淼 .

中国专利 :CN120608324A ,2025-09-09

[3]

氮化物薄膜及其远程外延方法和半导体器件 [P].

曹冰 ;

夏天 ;

刘淼 .

中国专利 :CN120608324B ,2025-10-17

[4]

在图形衬底上生长氮化物薄膜的方法 [P].

常洪亮 ;

魏同波 ;

闫建昌 ;

王军喜 .

中国专利 :CN109285758A ,2019-01-29

[5]

一种远程外延生长氮化物薄膜的方法 [P].

曹冰 ;

刘淼 ;

夏天 .

中国专利 :CN120758974A ,2025-10-10

[6]

在图形衬底上生长氮化物薄膜结构及其方法 [P].

魏同波 ;

常洪亮 ;

闫建昌 ;

王军喜 .

中国专利 :CN111341648B ,2020-06-26

[7]

硅衬底上Ⅲ族氮化物半导体外延生长技术 [P].

冯玉春 ;

郭宝平 ;

牛憨笨 ;

李忠辉 .

中国专利 :CN1725445A ,2006-01-25

[8]

氮化物半导体的生长方法、氮化物半导体衬底及器件 [P].

清久裕之 ;

中村修二 ;

小崎德也 ;

岩佐成人 ;

蝶蝶一幸 .

中国专利 :CN1516238A ,2004-07-28

[9]

在硅衬底上生长无裂纹Ⅲ族氮化物薄膜的方法 [P].

陆沅 ;

刘祥林 ;

陆大成 ;

王晓晖 ;

王占国 .

中国专利 :CN1652299A ,2005-08-10

[10]

Ⅲ族氮化物半导体器件和外延衬底 [P].

三浦广平 ;

木山诚 ;

樱田隆 .

中国专利 :CN1993834A ,2007-07-04

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