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氮化物薄膜及其远程外延方法和半导体器件

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202511121351.2
申请日：
2025-08-12
公开(公告)号：
CN120608324A
公开(公告)日：
2025-09-09
发明(设计)人：
曹冰 夏天 刘淼
申请人：
苏州大学
申请人地址：
215200 江苏省苏州市吴江区久泳西路1号
IPC主分类号：
C30B25/18
IPC分类号：
C30B25/16 C30B29/40 C23C16/01 C23C16/26 C30B25/20
代理机构：
苏州创元专利商标事务所有限公司 32103
代理人：
俞春雷
法律状态：
授权
国省代码：
黑龙江省 哈尔滨市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-10-17 授权 授权
2025-09-26 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C30B 25/18申请日:20250812
2025-09-09 公开 公开
共 50 条
[1]
氮化物薄膜及其远程外延方法和半导体器件 [P]. 
曹冰 ;
夏天 ;
刘淼 .
中国专利 :CN120608324B ,2025-10-17
[2]
在硅衬底上远程外延生长氮化物薄膜的方法及氮化物薄膜和半导体器件 [P]. 
曹冰 ;
刘淼 ;
夏天 .
中国专利 :CN119685935A ,2025-03-25
[3]
在硅衬底上远程外延生长氮化物薄膜的方法及氮化物薄膜和半导体器件 [P]. 
曹冰 ;
刘淼 ;
夏天 .
中国专利 :CN119685935B ,2025-06-10
[4]
氮化物半导体外延晶圆和氮化物半导体器件 [P]. 
坂口春典 ;
田中丈士 ;
成田好伸 ;
目黑健 .
中国专利 :CN104779280A ,2015-07-15
[5]
Ⅲ族氮化物半导体器件和外延衬底 [P]. 
田边达也 ;
三浦广平 ;
木山诚 ;
樱田隆 .
中国专利 :CN1969380A ,2007-05-23
[6]
Ⅲ族氮化物半导体器件和外延衬底 [P]. 
三浦广平 ;
木山诚 ;
樱田隆 .
中国专利 :CN1993834A ,2007-07-04
[7]
Ⅲ族氮化物半导体器件和外延衬底 [P]. 
田边达也 ;
木山诚 ;
三浦广平 ;
樱田隆 .
中国专利 :CN1977367A ,2007-06-06
[8]
氮化物半导体器件的制造方法及氮化物半导体器件 [P]. 
中畑成二 ;
上松康二 ;
中幡英章 .
中国专利 :CN100468627C ,2007-03-14
[9]
氮化物半导体器件和氮化物半导体器件的制造方法 [P]. 
藤田耕一郎 .
中国专利 :CN105074876A ,2015-11-18
[10]
氮化物半导体模板的制造方法、氮化物半导体模板及氮化物半导体器件 [P]. 
藤仓序章 ;
今野泰一郎 ;
三宅秀人 .
中国专利 :CN108155278B ,2018-06-12
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