氮化物外延生长的纳米图形衬底制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010121839.2

申请日：

2010-03-11

公开(公告)号：

CN101814564A

公开(公告)日：

2010-08-25

发明(设计)人：

袁根如郝茂盛陈诚

申请人：

申请人地址：

201210 上海市浦东新区张江高科技园区芳春路400号

IPC主分类号：

H01L3312

IPC分类号：

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

戴广志

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-10-13	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101007482531 IPC(主分类):H01L 33/12 专利申请号:2010101218392 申请日:20100311
2015-04-29	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101607912444 IPC(主分类):H01L 33/12 专利号:ZL2010101218392 申请日:20100311 授权公告日:20130731 终止日期:20140311
2010-08-25	公开	公开
2013-07-31	授权	授权

共 50 条

[1]

用于制备氮化物外延生长的纳米图形衬底的方法 [P].

牛凤娟 ;

苗振林 ;

赵胜能 ;

胡弃疾 .

中国专利 :CN103035806A ,2013-04-10

[2]

硅衬底Ⅲ族氮化物外延生长 [P].

冯玉春 ;

李冀 ;

郭宝平 ;

张建宝 ;

李忠辉 ;

李岩 ;

牛憨笨 .

中国专利 :CN1824849A ,2006-08-30

[3]

高晶体质量氮化物外延生长所用图形衬底的制备方法 [P].

张扬 ;

闫发旺 ;

高海永 ;

曾一平 ;

王国宏 ;

张会肖 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN101295636A ,2008-10-29

[4]

用于氮化物外延生长的纳米级图形化衬底的制备方法 [P].

张佰君 ;

饶文涛 .

中国专利 :CN101640169B ,2010-02-03

[5]

用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法 [P].

闫发旺 ;

高海永 ;

樊中朝 ;

李晋闽 ;

曾一平 ;

王国宏 ;

张会肖 ;

王军喜 ;

张扬 .

中国专利 :CN100587919C ,2009-02-25

[6]

在蓝宝石图形衬底上外延生长氮化物外延膜的方法 [P].

李鸿渐 ;

李盼盼 ;

李志聪 ;

李璟 ;

王国宏 .

中国专利 :CN102394261A ,2012-03-28

[7]

用于氮化物外延生长的图形蓝宝石衬底的制作方法 [P].

闫发旺 ;

高海永 ;

张扬 ;

李晋闽 ;

曾一平 ;

王国宏 ;

张会肖 .

中国专利 :CN101330002A ,2008-12-24

[8]

一种氮化物外延生长用图形衬底的制作方法 [P].

吴东海 ;

刘刚 ;

李志翔 .

中国专利 :CN103378218A ,2013-10-30

[9]

用于氮化物外延生长的衬底局域非晶化方法 [P].

谢杰 ;

闫发旺 ;

张峰 ;

赵倍吉 .

中国专利 :CN106935485A ,2017-07-07

[10]

适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法 [P].

孙莉莉 ;

闫建昌 ;

王军喜 ;

刘乃鑫 ;

魏同波 ;

魏学成 ;

马平 ;

刘喆 ;

曾一平 ;

王国宏 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN101969088A ,2011-02-09

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