用于氮化物外延生长的衬底局域非晶化方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710122890.7

申请日：

2017-03-03

公开(公告)号：

CN106935485A

公开(公告)日：

2017-07-07

发明(设计)人：

谢杰闫发旺张峰赵倍吉

申请人：

申请人地址：

201821 上海市嘉定区普惠路200号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294

代理人：

孙佳胤

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-07-07	公开	公开
2021-11-19	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/02 申请公布日:20170707
2017-08-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101738377331 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2017101228907 申请日:20170303

共 50 条

[1]

硅衬底Ⅲ族氮化物外延生长 [P].

冯玉春 ;

李冀 ;

郭宝平 ;

张建宝 ;

李忠辉 ;

李岩 ;

牛憨笨 .

中国专利 :CN1824849A ,2006-08-30

[2]

氮化物外延生长的纳米图形衬底制备方法 [P].

袁根如 ;

郝茂盛 ;

陈诚 .

中国专利 :CN101814564A ,2010-08-25

[3]

用于制备氮化物外延生长的纳米图形衬底的方法 [P].

牛凤娟 ;

苗振林 ;

赵胜能 ;

胡弃疾 .

中国专利 :CN103035806A ,2013-04-10

[4]

用于氮化物外延生长的纳米级图形化衬底的制备方法 [P].

张佰君 ;

饶文涛 .

中国专利 :CN101640169B ,2010-02-03

[5]

用于氮化物外延生长的图形蓝宝石衬底的制作方法 [P].

闫发旺 ;

高海永 ;

张扬 ;

李晋闽 ;

曾一平 ;

王国宏 ;

张会肖 .

中国专利 :CN101330002A ,2008-12-24

[6]

在蓝宝石图形衬底上外延生长氮化物外延膜的方法 [P].

李鸿渐 ;

李盼盼 ;

李志聪 ;

李璟 ;

王国宏 .

中国专利 :CN102394261A ,2012-03-28

[7]

用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法 [P].

闫发旺 ;

高海永 ;

樊中朝 ;

李晋闽 ;

曾一平 ;

王国宏 ;

张会肖 ;

王军喜 ;

张扬 .

中国专利 :CN100587919C ,2009-02-25

[8]

MOCVD生长氮化物外延层的方法 [P].

郝茂盛 ;

潘尧波 ;

颜建锋 ;

周建华 ;

孙永健 ;

杨卫桥 ;

陈志忠 ;

张国义 .

中国专利 :CN101343733B ,2009-01-14

[9]

厚的赝晶氮化物外延层 [P].

L.J.肖沃尔特 ;

J.A.斯马特 ;

J.R.格兰达斯基 ;

刘仕文 .

中国专利 :CN101652832B ,2010-02-17

[10]

一种适用于氮化物外延层生长的复合衬底 [P].

顾伟 .

中国专利 :CN109616560A ,2019-04-12

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