适用于氮化物LED外延生长的纳米级图形衬底的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010263069.5

申请日：

2010-08-25

公开(公告)号：

CN101969088A

公开(公告)日：

2011-02-09

发明(设计)人：

孙莉莉闫建昌王军喜刘乃鑫魏同波魏学成马平刘喆曾一平王国宏李晋闽

申请人：

申请人地址：

100083 北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司 11021

代理人：

周国城

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-02-13	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101514993074 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2010102630695 申请公布日:20110209
2011-02-09	公开	公开
2011-03-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101059706773 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:2010102630695 申请日:20100825

共 50 条

[1]

用于氮化物外延生长的纳米级图形化衬底的制备方法 [P].

张佰君 ;

饶文涛 .

中国专利 :CN101640169B ,2010-02-03

[2]

用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法 [P].

闫发旺 ;

高海永 ;

樊中朝 ;

李晋闽 ;

曾一平 ;

王国宏 ;

张会肖 ;

王军喜 ;

张扬 .

中国专利 :CN100587919C ,2009-02-25

[3]

氮化物外延生长的纳米图形衬底制备方法 [P].

袁根如 ;

郝茂盛 ;

陈诚 .

中国专利 :CN101814564A ,2010-08-25

[4]

用于制备氮化物外延生长的纳米图形衬底的方法 [P].

牛凤娟 ;

苗振林 ;

赵胜能 ;

胡弃疾 .

中国专利 :CN103035806A ,2013-04-10

[5]

在图形衬底上生长氮化物薄膜的方法 [P].

常洪亮 ;

魏同波 ;

闫建昌 ;

王军喜 .

中国专利 :CN109285758A ,2019-01-29

[6]

一种适用于氮化物外延层生长的复合衬底 [P].

顾伟 .

中国专利 :CN109616560A ,2019-04-12

[7]

用于氮化物外延生长的图形蓝宝石衬底的制作方法 [P].

闫发旺 ;

高海永 ;

张扬 ;

李晋闽 ;

曾一平 ;

王国宏 ;

张会肖 .

中国专利 :CN101330002A ,2008-12-24

[8]

一种适用于Ⅲ族氮化物外延生长的石墨烯蓝宝石衬底 [P].

刘忠范 ;

陈召龙 ;

高鹏 .

中国专利 :CN107689323A ,2018-02-13

[9]

在蓝宝石图形衬底上外延生长氮化物外延膜的方法 [P].

李鸿渐 ;

李盼盼 ;

李志聪 ;

李璟 ;

王国宏 .

中国专利 :CN102394261A ,2012-03-28

[10]

高晶体质量氮化物外延生长所用图形衬底的制备方法 [P].

张扬 ;

闫发旺 ;

高海永 ;

曾一平 ;

王国宏 ;

张会肖 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN101295636A ,2008-10-29

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