高晶体质量氮化物外延生长所用图形衬底的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710098702.8

申请日：

2007-04-25

公开(公告)号：

CN101295636A

公开(公告)日：

2008-10-29

发明(设计)人：

张扬闫发旺高海永曾一平王国宏张会肖李晋闽

申请人：

申请人地址：

100083北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

汤保平

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-10-29	公开	公开
2008-12-24	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-07-14	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101003237265 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2007100987028 公开日:20081029

共 50 条

[1]

氮化物外延生长的纳米图形衬底制备方法 [P].

袁根如 ;

郝茂盛 ;

陈诚 .

中国专利 :CN101814564A ,2010-08-25

[2]

一种高晶体质量的氮化物外延生长的方法 [P].

闫发旺 ;

张峰 ;

赵倍吉 ;

谢杰 .

中国专利 :CN105762065B ,2016-07-13

[3]

用于制备氮化物外延生长的纳米图形衬底的方法 [P].

牛凤娟 ;

苗振林 ;

赵胜能 ;

胡弃疾 .

中国专利 :CN103035806A ,2013-04-10

[4]

硅衬底Ⅲ族氮化物外延生长 [P].

冯玉春 ;

李冀 ;

郭宝平 ;

张建宝 ;

李忠辉 ;

李岩 ;

牛憨笨 .

中国专利 :CN1824849A ,2006-08-30

[5]

在蓝宝石图形衬底上外延生长氮化物外延膜的方法 [P].

李鸿渐 ;

李盼盼 ;

李志聪 ;

李璟 ;

王国宏 .

中国专利 :CN102394261A ,2012-03-28

[6]

用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法 [P].

闫发旺 ;

高海永 ;

樊中朝 ;

李晋闽 ;

曾一平 ;

王国宏 ;

张会肖 ;

王军喜 ;

张扬 .

中国专利 :CN100587919C ,2009-02-25

[7]

用于氮化物外延生长的图形蓝宝石衬底的制作方法 [P].

闫发旺 ;

高海永 ;

张扬 ;

李晋闽 ;

曾一平 ;

王国宏 ;

张会肖 .

中国专利 :CN101330002A ,2008-12-24

[8]

用于氮化物外延生长的纳米级图形化衬底的制备方法 [P].

张佰君 ;

饶文涛 .

中国专利 :CN101640169B ,2010-02-03

[9]

一种氮化物外延生长用图形衬底的制作方法 [P].

吴东海 ;

刘刚 ;

李志翔 .

中国专利 :CN103378218A ,2013-10-30

[10]

用于氮化物外延生长的衬底局域非晶化方法 [P].

谢杰 ;

闫发旺 ;

张峰 ;

赵倍吉 .

中国专利 :CN106935485A ,2017-07-07

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