悬空图形化氧化铪衬底氮化物谐振光子器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110441606.5

申请日：

2011-12-26

公开(公告)号：

CN102530822A

公开(公告)日：

2012-07-04

发明(设计)人：

王永进朱洪波

申请人：

申请人地址：

210003 江苏省南京市鼓楼区新模范马路66号

IPC主分类号：

B81B300

IPC分类号：

B81C100

代理机构：

南京经纬专利商标代理有限公司 32200

代理人：

许方

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-02-04	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101710439183 IPC(主分类):B81B 3/00 专利申请号:2011104416065 申请公布日:20120704
2012-09-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101322546423 IPC(主分类):B81B 3/00 专利申请号:2011104416065 申请日:20111226
2012-07-04	公开	公开

共 50 条

[1]

硅基氮化物材料的氧化铪悬空谐振光子器件及其制备方法 [P].

王永进 ;

高绪敏 ;

施政 ;

李欣 ;

陈佳佳 ;

白丹 .

中国专利 :CN103811598A ,2014-05-21

[2]

基于硅衬底氮化物的悬空谐振光子器件及其制备方法 [P].

王永进 ;

朱洪波 .

中国专利 :CN102530820A ,2012-07-04

[3]

基于硅衬底氮化物材料的悬空谐振光子器件及其制备方法 [P].

王永进 ;

朱洪波 .

中国专利 :CN102530821A ,2012-07-04

[4]

基于硅衬底氮化物的悬空纳米光子器件及其制备方法 [P].

王永进 ;

朱洪波 .

中国专利 :CN102583215A ,2012-07-18

[5]

悬空氮化物薄膜LED器件及其制备方法 [P].

王永进 ;

于庆龙 ;

高绪敏 ;

施政 ;

曲颖 ;

贺树敏 ;

李欣 ;

王镇海 .

中国专利 :CN103633203A ,2014-03-12

[6]

基于硅衬底氮化物材料的集成光子器件及其制备方法 [P].

王永进 ;

朱洪波 .

中国专利 :CN102570313A ,2012-07-11

[7]

悬空氮化物薄膜LED器件及制备方法 [P].

王永进 ;

白丹 ;

施政 ;

李欣 ;

高绪敏 ;

陈佳佳 ;

朱洪波 .

中国专利 :CN103779452B ,2014-05-07

[8]

基于硅衬底氮化物的悬空HEMT器件及其制备方法 [P].

王永进 ;

朱洪波 .

中国专利 :CN102856369A ,2013-01-02

[9]

悬空氮化物光波导器件及其制备方法 [P].

王永进 ;

高绪敏 ;

于庆龙 ;

施政 ;

贺树敏 ;

李欣 ;

巩玉先 ;

江运力 .

中国专利 :CN103630966A ,2014-03-12

[10]

基于硅衬底氮化物的悬空光波导器件及其制备方法 [P].

王永进 ;

于庆龙 ;

胡芳仁 ;

朱洪波 .

中国专利 :CN102778724A ,2012-11-14

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