基于硅衬底氮化物材料的集成光子器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110441607.X

申请日：

2011-12-26

公开(公告)号：

CN102570313A

公开(公告)日：

2012-07-11

发明(设计)人：

王永进朱洪波

申请人：

申请人地址：

210003 江苏省南京市鼓楼区新模范马路66号

IPC主分类号：

H01S550

IPC分类号：

代理机构：

南京经纬专利商标代理有限公司 32200

代理人：

许方

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-09-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101324734294 IPC(主分类):H01S 5/50 专利申请号:201110441607X 申请日:20111226
2012-07-11	公开	公开
2013-12-25	授权	授权

共 50 条

[1]

基于硅衬底氮化物的悬空谐振光子器件及其制备方法 [P].

王永进 ;

朱洪波 .

中国专利 :CN102530820A ,2012-07-04

[2]

基于硅衬底氮化物材料的悬空谐振光子器件及其制备方法 [P].

王永进 ;

朱洪波 .

中国专利 :CN102530821A ,2012-07-04

[3]

基于硅衬底氮化物的悬空纳米光子器件及其制备方法 [P].

王永进 ;

朱洪波 .

中国专利 :CN102583215A ,2012-07-18

[4]

硅基氮化物材料的氧化铪悬空谐振光子器件及其制备方法 [P].

王永进 ;

高绪敏 ;

施政 ;

李欣 ;

陈佳佳 ;

白丹 .

中国专利 :CN103811598A ,2014-05-21

[5]

基于硅衬底氮化物的悬空HEMT器件及其制备方法 [P].

王永进 ;

朱洪波 .

中国专利 :CN102856369A ,2013-01-02

[6]

基于硅衬底氮化物的光学微机电器件及其制备方法 [P].

王永进 ;

朱洪波 .

中国专利 :CN102602878A ,2012-07-25

[7]

硅衬底悬空LED光波导集成光子器件及其制备方法 [P].

王永进 ;

朱桂遐 ;

白丹 ;

许银 ;

朱洪波 .

中国专利 :CN105445854B ,2016-03-30

[8]

基于硅衬底氮化物的悬空光波导器件及其制备方法 [P].

王永进 ;

于庆龙 ;

胡芳仁 ;

朱洪波 .

中国专利 :CN102778724A ,2012-11-14

[9]

悬空图形化氧化铪衬底氮化物谐振光子器件及其制备方法 [P].

王永进 ;

朱洪波 .

中国专利 :CN102530822A ,2012-07-04

[10]

硅衬底上氮化物高压器件及其制造方法 [P].

程凯 .

中国专利 :CN102916046B ,2013-02-06

← 1 2 3 4 5 →