硅基氮化物材料的氧化铪悬空谐振光子器件及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201310672969.9
申请日
2013-12-12
公开(公告)号
CN103811598A
公开(公告)日
2014-05-21
发明(设计)人
王永进 高绪敏 施政 李欣 陈佳佳 白丹
申请人
申请人地址
210023 江苏省南京市栖霞区亚东新城区文苑路9号
IPC主分类号
H01L3300
IPC分类号
H01L3302 G02B6122 G02B6124 B82Y2000
代理机构
江苏爱信律师事务所 32241
代理人
刘琦
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
基于硅衬底氮化物材料的悬空谐振光子器件及其制备方法 [P]. 
王永进 ;
朱洪波 .
中国专利 :CN102530821A ,2012-07-04
[2]
悬空图形化氧化铪衬底氮化物谐振光子器件及其制备方法 [P]. 
王永进 ;
朱洪波 .
中国专利 :CN102530822A ,2012-07-04
[3]
基于硅衬底氮化物的悬空谐振光子器件及其制备方法 [P]. 
王永进 ;
朱洪波 .
中国专利 :CN102530820A ,2012-07-04
[4]
基于硅衬底氮化物的悬空纳米光子器件及其制备方法 [P]. 
王永进 ;
朱洪波 .
中国专利 :CN102583215A ,2012-07-18
[5]
基于硅衬底氮化物材料的集成光子器件及其制备方法 [P]. 
王永进 ;
朱洪波 .
中国专利 :CN102570313A ,2012-07-11
[6]
基于SOI材料的悬空谐振光子器件及其制备方法 [P]. 
王永进 ;
朱洪波 .
中国专利 :CN102570312A ,2012-07-11
[7]
悬空氮化物薄膜LED器件及其制备方法 [P]. 
王永进 ;
于庆龙 ;
高绪敏 ;
施政 ;
曲颖 ;
贺树敏 ;
李欣 ;
王镇海 .
中国专利 :CN103633203A ,2014-03-12
[8]
基于硅衬底氮化物的悬空HEMT器件及其制备方法 [P]. 
王永进 ;
朱洪波 .
中国专利 :CN102856369A ,2013-01-02
[9]
悬空氮化物光波导器件及其制备方法 [P]. 
王永进 ;
高绪敏 ;
于庆龙 ;
施政 ;
贺树敏 ;
李欣 ;
巩玉先 ;
江运力 .
中国专利 :CN103630966A ,2014-03-12
[10]
基于硅衬底氮化物的悬空光波导器件及其制备方法 [P]. 
王永进 ;
于庆龙 ;
胡芳仁 ;
朱洪波 .
中国专利 :CN102778724A ,2012-11-14