一种氮化镓薄膜及准范德华外延氮化镓薄膜的生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311107053.9

申请日：

2023-08-30

公开(公告)号：

CN119530964A

公开(公告)日：

2025-02-28

发明(设计)人：

汪莱杨沛珑郝智彪罗毅

申请人：

清华大学

申请人地址：

100084 北京市海淀区清华园

IPC主分类号：

C30B25/18

IPC分类号：

C30B29/36

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

姚亮;杨雯茜

法律状态：

公开

国省代码：

北京市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-28	公开	公开

共 50 条

[1]

一种氮化镓薄膜以及石墨烯范德华外延氮化镓薄膜生长方法 [P].

汪莱 ;

杨沛珑 ;

郝智彪 ;

罗毅 .

中国专利 :CN119530965A ,2025-02-28

[2]

氮化镓薄膜及其远程外延生长方法 [P].

曹冰 ;

刘淼 ;

夏天 .

中国专利 :CN120738767A ,2025-10-03

[3]

氮化镓薄膜外延生长结构及方法 [P].

李忠辉 ;

陈辰 ;

董逊 .

中国专利 :CN101302648A ,2008-11-12

[4]

一种氮化镓薄膜的气相生长方法及氮化镓薄膜 [P].

谈逊 ;

张顺 ;

聂国政 ;

谈谦 ;

吴曦 ;

李可 ;

王庆 ;

刘宁波 ;

陈绮雯 ;

许泽峰 ;

林智成 ;

李欣 ;

王占玲 .

中国专利 :CN119352165A ,2025-01-24

[5]

氮化镓薄膜材料外延生长的方法 [P].

闫发旺 ;

张峰 ;

赵倍吉 ;

刘春雪 ;

李晨 .

中国专利 :CN106876250B ,2017-06-20

[6]

基于氮化镓核探测器结构的双面氮化镓薄膜外延生长方法 [P].

李亮 ;

罗伟科 .

中国专利 :CN105755535A ,2016-07-13

[7]

氮化铝薄膜的制备方法及氮化镓薄膜的生长方法 [P].

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN119252729A ,2025-01-03

[8]

晶体质量可控的氮化镓薄膜外延生长方法 [P].

甘志银 ;

张荣军 ;

汪沛 ;

严晗 .

中国专利 :CN104347761B ,2015-02-11

[9]

一种氮化镓生长方法及氮化镓 [P].

张林 ;

刘德昂 .

中国专利 :CN115386959B ,2024-02-06

[10]

一种氮化镓生长方法及氮化镓 [P].

张林 ;

刘德昂 .

中国专利 :CN115386959A ,2022-11-25

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