一种氮化镓生长方法及氮化镓

被引：0

申请号：

CN202211032703.3

申请日：

2022-08-26

公开(公告)号：

CN115386959A

公开(公告)日：

2022-11-25

发明(设计)人：

张林刘德昂

申请人：

申请人地址：

201306 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区新城路2号23幢N1128室

IPC主分类号：

C30B2940

IPC分类号：

C30B2300 H01L2102

代理机构：

铜陵市嘉同知识产权代理事务所(普通合伙) 34186

代理人：

吴晨亮

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/40 申请日:20220826
2022-11-25	公开	公开

共 50 条

[1]

一种氮化镓生长方法及氮化镓 [P].

张林 ;

刘德昂 .

中国专利 :CN115386959B ,2024-02-06

[2]

氮化镓生长方法 [P].

段瑞飞 ;

魏同波 ;

王国宏 ;

曾一平 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN101728248A ,2010-06-09

[3]

氮化镓单晶生长方法 [P].

孟静 .

中国专利 :CN108796611A ,2018-11-13

[4]

氮化镓单晶的生长方法和氮化镓单晶 [P].

岩井真 ;

今井克宏 ;

今枝美能留 .

中国专利 :CN1938457B ,2007-03-28

[5]

氮化镓磊晶生长方法 [P].

郑克勇 ;

王佑立 ;

杨伟臣 ;

邱绍谚 .

中国专利 :CN104952998A ,2015-09-30

[6]

硅衬底上氮化镓生长方法 [P].

陈祈铭 ;

刘柏均 ;

林宏达 ;

喻中一 ;

蔡嘉雄 ;

黃和涌 .

中国专利 :CN103137446A ,2013-06-05

[7]

一种氮化镓薄膜的气相生长方法及氮化镓薄膜 [P].

谈逊 ;

张顺 ;

聂国政 ;

谈谦 ;

吴曦 ;

李可 ;

王庆 ;

刘宁波 ;

陈绮雯 ;

许泽峰 ;

林智成 ;

李欣 ;

王占玲 .

中国专利 :CN119352165A ,2025-01-24

[8]

镓极性氮化镓缓冲层的生长方法 [P].

刘宝林 ;

郑清洪 ;

黄瑾 .

中国专利 :CN100557772C ,2008-08-20

[9]

氮化镓单晶的生长方法,氮化镓单晶基板及其制造方法 [P].

元木健作 ;

冈久拓司 ;

松本直树 .

中国专利 :CN1908251B ,2007-02-07

[10]

氮化镓单晶的生长方法,氮化镓单晶基板及其制造方法 [P].

元木健作 ;

冈久拓司 ;

松本直树 .

中国专利 :CN1870223A ,2006-11-29

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