氮化镓磊晶生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410116061.4

申请日：

2014-03-26

公开(公告)号：

CN104952998A

公开(公告)日：

2015-09-30

发明(设计)人：

郑克勇王佑立杨伟臣邱绍谚

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L3332

IPC分类号：

C30B2938

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

张德斌

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-09-30	公开	公开
2017-11-17	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 33/32 申请公布日:20150930

共 50 条

[1]

氮化镓单晶生长方法 [P].

孟静 .

中国专利 :CN108796611A ,2018-11-13

[2]

氮化镓生长方法 [P].

段瑞飞 ;

魏同波 ;

王国宏 ;

曾一平 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN101728248A ,2010-06-09

[3]

镓极性氮化镓缓冲层的生长方法 [P].

刘宝林 ;

郑清洪 ;

黄瑾 .

中国专利 :CN100557772C ,2008-08-20

[4]

硅衬底上氮化镓生长方法 [P].

陈祈铭 ;

刘柏均 ;

林宏达 ;

喻中一 ;

蔡嘉雄 ;

黃和涌 .

中国专利 :CN103137446A ,2013-06-05

[5]

一种氮化镓生长方法及氮化镓 [P].

张林 ;

刘德昂 .

中国专利 :CN115386959B ,2024-02-06

[6]

一种氮化镓生长方法及氮化镓 [P].

张林 ;

刘德昂 .

中国专利 :CN115386959A ,2022-11-25

[7]

氮化镓单晶的生长方法和氮化镓单晶 [P].

岩井真 ;

今井克宏 ;

今枝美能留 .

中国专利 :CN1938457B ,2007-03-28

[8]

低位错氮化镓的生长方法 [P].

吴奎 ;

魏同波 ;

闫建昌 ;

刘喆 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN102409406A ,2012-04-11

[9]

氮化镓单晶的生长方法,氮化镓单晶基板及其制造方法 [P].

元木健作 ;

冈久拓司 ;

松本直树 .

中国专利 :CN1908251B ,2007-02-07

[10]

氮化镓单晶的生长方法,氮化镓单晶基板及其制造方法 [P].

元木健作 ;

冈久拓司 ;

松本直树 .

中国专利 :CN1870223A ,2006-11-29

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