高质量氮化镓晶体、其助熔剂生长方法及应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510526135.X

申请日：

2025-04-25

公开(公告)号：

CN120082955B

公开(公告)日：

2025-07-18

发明(设计)人：

张涛刘宗亮徐科司志伟彭晓辉

申请人：

中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

申请人地址：

215123 江苏省苏州市工业园区若水路398号

IPC主分类号：

C30B9/12

IPC分类号：

C30B29/40

代理机构：

南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256

代理人：

李志

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-20	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 9/12申请日:20250425
2025-07-18	授权	授权
2025-06-03	公开	公开

共 50 条

[1]

高质量氮化镓晶体、其助熔剂生长方法及应用 [P].

张涛 ;

刘宗亮 ;

徐科 ;

司志伟 ;

彭晓辉 .

中国专利 :CN120082955A ,2025-06-03

[2]

高质量氮化镓体单晶及其生长方法和制备系统 [P].

司志伟 ;

刘宗亮 ;

徐科 .

中国专利 :CN114657640A ,2022-06-24

[3]

自分离氮化镓单晶及其助熔剂法生长方法 [P].

刘宗亮 ;

徐科 ;

任国强 ;

王建峰 .

中国专利 :CN111434811B ,2020-07-21

[4]

非极性/半极性氮化镓单晶及其助熔剂法生长方法 [P].

刘宗亮 ;

徐科 ;

任国强 ;

王建峰 .

中国专利 :CN111434809B ,2020-07-21

[5]

助熔剂法连续生长大尺寸高质量氮化物单晶的系统及方法 [P].

司志伟 ;

刘宗亮 ;

徐科 .

中国专利 :CN113969422A ,2022-01-25

[6]

助熔剂法连续生长大尺寸高质量氮化物单晶的系统及方法 [P].

司志伟 ;

刘宗亮 ;

徐科 .

中国专利 :CN113969422B ,2025-05-16

[7]

助熔剂法连续生长大尺寸高质量氮化物单晶的系统 [P].

司志伟 ;

刘宗亮 ;

徐科 .

中国专利 :CN212582032U ,2021-02-23

[8]

极低位错密度氮化镓单晶及其助熔剂法生长方法 [P].

刘宗亮 ;

徐科 ;

任国强 ;

王建峰 .

中国专利 :CN110230102B ,2019-09-13

[9]

一种基于氮化镓衬底的高质量氮化镓外延薄膜的生长方法 [P].

李亮 .

中国专利 :CN102719887B ,2012-10-10

[10]

利用六方氮化硼纳米片生长高质量氮化镓晶体的方法 [P].

郝霄鹏 ;

李先磊 ;

张雷 ;

邵永亮 ;

吴拥中 ;

戴元滨 ;

田媛 ;

霍勤 .

中国专利 :CN103741221A ,2014-04-23

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