极低位错密度氮化镓单晶及其助熔剂法生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810179912.8

申请日：

2018-03-05

公开(公告)号：

CN110230102B

公开(公告)日：

2019-09-13

发明(设计)人：

刘宗亮徐科任国强王建峰

申请人：

申请人地址：

215123 江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

C30B2940 C30B912

代理机构：

南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256

代理人：

王锋

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-09-13	公开	公开
2019-10-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/40 申请日:20180305
2022-01-04	授权	授权

共 50 条

[1]

自分离氮化镓单晶及其助熔剂法生长方法 [P].

刘宗亮 ;

徐科 ;

任国强 ;

王建峰 .

中国专利 :CN111434811B ,2020-07-21

[2]

非极性/半极性氮化镓单晶及其助熔剂法生长方法 [P].

刘宗亮 ;

徐科 ;

任国强 ;

王建峰 .

中国专利 :CN111434809B ,2020-07-21

[3]

助熔剂法生长氮化镓单晶的方法、系统及检测方法 [P].

司志伟 ;

刘宗亮 ;

徐科 .

中国专利 :CN115726023B ,2025-09-23

[4]

一种钠助熔剂法氮化镓单晶的生长装置 [P].

李强 ;

张嵩 ;

王军山 ;

董增印 ;

兰飞飞 ;

王再恩 ;

刘金鑫 ;

张志欣 .

中国专利 :CN109680334A ,2019-04-26

[5]

低位错氮化镓的生长方法 [P].

吴奎 ;

魏同波 ;

闫建昌 ;

刘喆 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN102409406A ,2012-04-11

[6]

氮化镓单晶的生长方法和氮化镓单晶 [P].

岩井真 ;

今井克宏 ;

今枝美能留 .

中国专利 :CN1938457B ,2007-03-28

[7]

氮化镓体单晶及其生长方法 [P].

司志伟 ;

刘宗亮 ;

徐科 .

中国专利 :CN114622274A ,2022-06-14

[8]

用于助熔剂法生长氮化物单晶的承载结构、系统及方法 [P].

刘宗亮 ;

徐科 ;

任国强 ;

王建峰 .

中国专利 :CN110129887B ,2024-04-19

[9]

助熔剂法连续生长氮化物体单晶用补充机构、系统及方法 [P].

刘宗亮 ;

徐科 ;

任国强 ;

王建峰 .

中国专利 :CN111434810A ,2020-07-21

[10]

用于助熔剂法生长氮化物单晶的承载结构、系统及方法 [P].

刘宗亮 ;

徐科 ;

任国强 ;

王建峰 .

中国专利 :CN110129887A ,2019-08-16

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