助熔剂法连续生长氮化物体单晶用补充机构、系统及方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201910031984.2
申请日
2019-01-14
公开(公告)号
CN111434810A
公开(公告)日
2020-07-21
发明(设计)人
刘宗亮 徐科 任国强 王建峰
申请人
申请人地址
215123 江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号
IPC主分类号
C30B1904
IPC分类号
C30B2940
代理机构
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256
代理人
王茹;王锋
法律状态
公开
国省代码
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共 45 条
[1]
助熔剂法连续生长氮化物体单晶用原料补充机构及系统 [P]. 
刘宗亮 ;
徐科 ;
任国强 ;
王建峰 .
中国专利 :CN209508450U ,2019-10-18
[2]
用于助熔剂法生长氮化物单晶的承载结构及系统 [P]. 
刘宗亮 ;
徐科 ;
任国强 ;
王建峰 .
中国专利 :CN208023115U ,2018-10-30
[3]
用于助熔剂法生长氮化物单晶的承载结构、系统及方法 [P]. 
刘宗亮 ;
徐科 ;
任国强 ;
王建峰 .
中国专利 :CN110129887B ,2024-04-19
[4]
用于助熔剂法生长氮化物单晶的承载结构、系统及方法 [P]. 
刘宗亮 ;
徐科 ;
任国强 ;
王建峰 .
中国专利 :CN110129887A ,2019-08-16
[5]
助熔剂法生长氮化镓单晶的方法、系统及检测方法 [P]. 
司志伟 ;
刘宗亮 ;
徐科 .
中国专利 :CN115726023B ,2025-09-23
[6]
助熔剂法均匀化生长氮化物单晶的系统及方法 [P]. 
司志伟 ;
刘宗亮 ;
徐科 .
中国专利 :CN113818085A ,2021-12-21
[7]
助熔剂法生长均匀的氮化物单晶的系统及方法 [P]. 
司志伟 ;
刘宗亮 ;
徐科 .
中国专利 :CN114197049A ,2022-03-18
[8]
助熔剂法生长均匀的氮化物单晶的系统及方法 [P]. 
司志伟 ;
刘宗亮 ;
徐科 .
中国专利 :CN114197049B ,2025-09-23
[9]
助熔剂法生长均匀的氮化物单晶的系统 [P]. 
司志伟 ;
刘宗亮 ;
徐科 .
中国专利 :CN212713847U ,2021-03-16
[10]
助熔剂法连续生长大尺寸高质量氮化物单晶的系统及方法 [P]. 
司志伟 ;
刘宗亮 ;
徐科 .
中国专利 :CN113969422A ,2022-01-25