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助熔剂法连续生长氮化物体单晶用补充机构、系统及方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201910031984.2
申请日
:
2019-01-14
公开(公告)号
:
CN111434810A
公开(公告)日
:
2020-07-21
发明(设计)人
:
刘宗亮
徐科
任国强
王建峰
申请人
:
申请人地址
:
215123 江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号
IPC主分类号
:
C30B1904
IPC分类号
:
C30B2940
代理机构
:
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256
代理人
:
王茹;王锋
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-07-21
公开
公开
2020-08-14
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 19/04 申请日:20190114
共 45 条
[1]
助熔剂法连续生长氮化物体单晶用原料补充机构及系统
[P].
刘宗亮
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0
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0
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刘宗亮
;
徐科
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徐科
;
任国强
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任国强
;
王建峰
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王建峰
.
中国专利
:CN209508450U
,2019-10-18
[2]
用于助熔剂法生长氮化物单晶的承载结构及系统
[P].
刘宗亮
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刘宗亮
;
徐科
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徐科
;
任国强
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任国强
;
王建峰
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王建峰
.
中国专利
:CN208023115U
,2018-10-30
[3]
用于助熔剂法生长氮化物单晶的承载结构、系统及方法
[P].
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机构:
刘宗亮
;
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机构:
徐科
;
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机构:
任国强
;
王建峰
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机构:
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
王建峰
.
中国专利
:CN110129887B
,2024-04-19
[4]
用于助熔剂法生长氮化物单晶的承载结构、系统及方法
[P].
刘宗亮
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刘宗亮
;
徐科
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徐科
;
任国强
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任国强
;
王建峰
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王建峰
.
中国专利
:CN110129887A
,2019-08-16
[5]
助熔剂法生长氮化镓单晶的方法、系统及检测方法
[P].
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机构:
司志伟
;
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机构:
刘宗亮
;
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机构:
徐科
.
中国专利
:CN115726023B
,2025-09-23
[6]
助熔剂法均匀化生长氮化物单晶的系统及方法
[P].
司志伟
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司志伟
;
刘宗亮
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刘宗亮
;
徐科
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徐科
.
中国专利
:CN113818085A
,2021-12-21
[7]
助熔剂法生长均匀的氮化物单晶的系统及方法
[P].
司志伟
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司志伟
;
刘宗亮
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刘宗亮
;
徐科
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徐科
.
中国专利
:CN114197049A
,2022-03-18
[8]
助熔剂法生长均匀的氮化物单晶的系统及方法
[P].
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机构:
司志伟
;
论文数:
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机构:
刘宗亮
;
论文数:
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机构:
徐科
.
中国专利
:CN114197049B
,2025-09-23
[9]
助熔剂法生长均匀的氮化物单晶的系统
[P].
司志伟
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0
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0
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0
司志伟
;
刘宗亮
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刘宗亮
;
徐科
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徐科
.
中国专利
:CN212713847U
,2021-03-16
[10]
助熔剂法连续生长大尺寸高质量氮化物单晶的系统及方法
[P].
司志伟
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0
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司志伟
;
刘宗亮
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刘宗亮
;
徐科
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徐科
.
中国专利
:CN113969422A
,2022-01-25
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