助熔剂法生长均匀的氮化物单晶的系统

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202022055337.6

申请日：

2020-09-18

公开(公告)号：

CN212713847U

公开(公告)日：

2021-03-16

发明(设计)人：

司志伟刘宗亮徐科

申请人：

申请人地址：

215123 江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号

IPC主分类号：

C30B2940

IPC分类号：

C30B910

代理机构：

南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256

代理人：

王锋

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-16	授权	授权

共 50 条

[1]

助熔剂法生长均匀的氮化物单晶的系统及方法 [P].

司志伟 ;

刘宗亮 ;

徐科 .

中国专利 :CN114197049A ,2022-03-18

[2]

助熔剂法生长均匀的氮化物单晶的系统及方法 [P].

司志伟 ;

刘宗亮 ;

徐科 .

中国专利 :CN114197049B ,2025-09-23

[3]

助熔剂法均匀化生长氮化物单晶的系统及方法 [P].

司志伟 ;

刘宗亮 ;

徐科 .

中国专利 :CN113818085A ,2021-12-21

[4]

用于助熔剂法生长氮化物单晶的承载结构及系统 [P].

刘宗亮 ;

徐科 ;

任国强 ;

王建峰 .

中国专利 :CN208023115U ,2018-10-30

[5]

助熔剂法连续生长大尺寸高质量氮化物单晶的系统 [P].

司志伟 ;

刘宗亮 ;

徐科 .

中国专利 :CN212582032U ,2021-02-23

[6]

用于助熔剂法生长氮化物单晶的承载结构、系统及方法 [P].

刘宗亮 ;

徐科 ;

任国强 ;

王建峰 .

中国专利 :CN110129887B ,2024-04-19

[7]

用于助熔剂法生长氮化物单晶的承载结构、系统及方法 [P].

刘宗亮 ;

徐科 ;

任国强 ;

王建峰 .

中国专利 :CN110129887A ,2019-08-16

[8]

一种用于助熔剂法生长氮化物单晶的晶体生长设备 [P].

王守志 ;

王本法 ;

张雷 ;

王国栋 ;

徐现刚 .

中国专利 :CN118109897A ,2024-05-31

[9]

助熔剂法连续生长氮化物体单晶用原料补充机构及系统 [P].

刘宗亮 ;

徐科 ;

任国强 ;

王建峰 .

中国专利 :CN209508450U ,2019-10-18

[10]

助熔剂法连续生长大尺寸高质量氮化物单晶的系统及方法 [P].

司志伟 ;

刘宗亮 ;

徐科 .

中国专利 :CN113969422A ,2022-01-25

← 1 2 3 4 5 →