助熔剂法生长均匀的氮化物单晶的系统及方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010986305.X

申请日：

2020-09-18

公开(公告)号：

CN114197049B

公开(公告)日：

2025-09-23

发明(设计)人：

司志伟刘宗亮徐科

申请人：

中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

申请人地址：

215123 江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号

IPC主分类号：

C30B29/40

IPC分类号：

C30B9/10

代理机构：

南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256

代理人：

王锋

法律状态：

授权

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-09-23	授权	授权

共 50 条

[1]

助熔剂法生长均匀的氮化物单晶的系统 [P].

司志伟 ;

刘宗亮 ;

徐科 .

中国专利 :CN212713847U ,2021-03-16

[2]

助熔剂法生长均匀的氮化物单晶的系统及方法 [P].

司志伟 ;

刘宗亮 ;

徐科 .

中国专利 :CN114197049A ,2022-03-18

[3]

助熔剂法均匀化生长氮化物单晶的系统及方法 [P].

司志伟 ;

刘宗亮 ;

徐科 .

中国专利 :CN113818085A ,2021-12-21

[4]

用于助熔剂法生长氮化物单晶的承载结构及系统 [P].

刘宗亮 ;

徐科 ;

任国强 ;

王建峰 .

中国专利 :CN208023115U ,2018-10-30

[5]

用于助熔剂法生长氮化物单晶的承载结构、系统及方法 [P].

刘宗亮 ;

徐科 ;

任国强 ;

王建峰 .

中国专利 :CN110129887B ,2024-04-19

[6]

用于助熔剂法生长氮化物单晶的承载结构、系统及方法 [P].

刘宗亮 ;

徐科 ;

任国强 ;

王建峰 .

中国专利 :CN110129887A ,2019-08-16

[7]

助熔剂法连续生长大尺寸高质量氮化物单晶的系统及方法 [P].

司志伟 ;

刘宗亮 ;

徐科 .

中国专利 :CN113969422A ,2022-01-25

[8]

助熔剂法连续生长大尺寸高质量氮化物单晶的系统及方法 [P].

司志伟 ;

刘宗亮 ;

徐科 .

中国专利 :CN113969422B ,2025-05-16

[9]

助熔剂法连续生长大尺寸高质量氮化物单晶的系统 [P].

司志伟 ;

刘宗亮 ;

徐科 .

中国专利 :CN212582032U ,2021-02-23

[10]

助熔剂法连续生长氮化物体单晶用补充机构、系统及方法 [P].

刘宗亮 ;

徐科 ;

任国强 ;

王建峰 .

中国专利 :CN111434810A ,2020-07-21

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